[实用新型]一种低功耗且响应速度快的高压直流电源

权利要求书

1.一种低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：包括工频交流电源、整流滤波电路、逆变电路、高频变压器、倍压整流电路、控制电路和保护电路；所述工频交流电源与所述整流滤波电路相连，所述整流滤波电路与所述逆变电路相连，所述逆变电路与所述高频变压器相连，所述倍压整流电路与所述保护电路相连，所述工频交流电源、所述逆变电路和所述倍压整流电路均与所述控制电路相连。

2.根据权利要求1所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：所述整流滤波电路包括发光二极管D1、发光二极管D2、发光二极管D3、发光二极管D4、电容C和电阻R；所述发光二极管D1和发光二极管D2分别与发光二极管D3和发光二极管D4串联后再并联，之后再与电容C和电阻R并联。

3.根据权利要求1所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：所述逆变电路包括可控开关管V1、可控开关管V2、可控开关管V3、可控开关管V4、二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3、二极管VD4、电感L、电容C0和电阻R0；所述可控开关管V1、可控开关管V2、可控开关管V3和可控开关管V4分别与二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3和二极管VD4对应并联；可控开关管V1和可控开关管V3分别与可控开关管V2和可控开关管V4串联后再并联，之后再与电容C0以及电阻R0并联，电感L和电阻R0串联。

4.根据权利要求3所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：所述可控开关管V1、可控开关管V2、可控开关管V3和可控开关管V4为MOSFET管。

5.根据权利要求1所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：所述高频变压器的磁芯为EE型磁芯。

6.根据权利要求1所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：所述倍压整流电路包括倍压二极管D11、倍压二极管D22、倍压二极管D33、倍压二极管D44、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4；所述倍压二极管D11、倍压二极管D22、倍压二极管D33和倍压二极管D44正负极相并联；电容C1的正极与倍压二极管D11的负极相连，电容C1的负极与高压变压器的输出端正极相连；电容C3的正极与倍压二极管D33的负极相连，电容C3的负极与倍压二极管D22的正极相连；电容C2的正极与倍压二极管D2的负极相连，电容C2的负极与倍压二极管D11的正极相连；电容C4的负极与倍压二极管D33的正极相连，电容C4的正极与倍压二极管D4的负极相连再接高压电；所述高频变压器的输出端负极接地。

7.根据权利要求1所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：所述控制电路包括检测电路、STM32主控板、上位机、驱动电路和主电路；所述倍压整流电路与所述检测电路相连，所述检测电路和所述上位机与所述STM32主控板相连，所述STM32主控板与所述驱动电路相连，所述驱动电路与所述主电路相连。

8.根据权利要求1所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：所述保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、热敏电阻RT、发光二极管D10、比较器U1A、比较器U2A、比较器U3A和比较器U4A；电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4串联，电阻R5与发光二极管D10串联，电阻R7与热敏电阻RT串联；比较器U1A、比较器U2A、比较器U3A和比较器U4A的上端接12V电压，下端接地；比较器U1A的负极与电阻R5相连，比较器U1A的正极与电阻R2相连，比较器U1A的输出端与比较器U2A的输出端、比较器U3A的输出端、比较器U4A的输出端以及电阻R8串联；比较器U2A的负极与电阻R3相连，比较器U2A的正极与电阻R5相连；比较器U3A的负极与比较器U4A的正极相连，比较器U3A的正极与电阻R7相连，比较器U3A的输出端接PWM封锁信号输入；比较器U4A的负极接应急开关信号输入和电阻R6；电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8并联接12V电压，电阻R4、发光二极管D10和热敏电阻RT并联接地。

9.根据权利要求7所述的低功耗且响应速度快的高压直流电源，其特征在于：比较器U1A、比较器U2A、比较器U3A和比较器U4A为LM358比较器。