[实用新型]新型异质结电池

权利要求书

1.一种新型异质结电池，其特征在于，包括N型单晶硅片(1)，所述N型单晶硅片(1)正面依次沉积有正面本征非晶层薄膜(2)、正面SiO₂层(3)、正面掺杂层薄膜(4)、正面不含氧透明导电薄膜层(5)、正面含氧透明导电薄膜层(6)和正面金属栅线层(7)，所述N型单晶硅片(1)背面依次沉积有背面本征非晶层薄膜(8)、背面SiO₂层(9)、背面掺杂层薄膜(10)、背面不含氧透明导电薄膜层(11)、背面含氧透明导电薄膜层(12)和背面金属栅线层(13)。

2.根据权利要求1所述的新型异质结电池，其特征在于，所述N型单晶硅片(1)的厚度为90-160um。

3.根据权利要求1所述的新型异质结电池，其特征在于，所述正面本征非晶层薄膜(2)的厚度为3-11nm。

4.根据权利要求1所述的新型异质结电池，其特征在于，所述正面SiO₂层(3)和背面SiO₂层(9)的厚度均为1-3nm。

5.根据权利要求1所述的新型异质结电池，其特征在于，所述正面掺杂层薄膜(4)的厚度为2-11nm。

6.根据权利要求1所述的新型异质结电池，其特征在于，所述正面不含氧透明导电薄膜层(5)的厚度为1-10nm，正面含氧透明导电薄膜层(6)的厚度为49-110nm。

7.根据权利要求1所述的新型异质结电池，其特征在于，所述背面不含氧透明导电薄膜层(11)的厚度为1-10nm，所述背面含氧透明导电薄膜层(12)的厚度为49-110nm。

8.根据权利要求1所述的新型异质结电池，其特征在于，所述背面本征非晶层薄膜(8)的厚度为5-15nm，所述背面掺杂层薄膜(10)的厚度为3-16nm。