[实用新型]一种非耦合双电感有效
申请号: | 202222979624.5 | 申请日: | 2022-11-09 |
公开(公告)号: | CN218631602U | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 饶金火;林伙利;王俊文 | 申请(专利权)人: | 三积瑞科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F27/30;H01F27/36;H01F27/29 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215127 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耦合 电感 | ||
本实用新型揭示了一种非耦合双电感,该电感由磁芯、一对套装于磁芯的电感导体和一个片状盖体整装成型,其中磁芯顶部设有相平行的两条方底沉槽,并分布成型为隔空凸部及两侧栏板部。电感导体钣金成型并套装于方底沉槽之中,片状盖体则贴合于磁芯顶面并完全覆盖方底沉槽及其中的电感导体。由此则基于以上构件一体成型为两个非耦合的电感。应用本实用新型该电感结构,提高了其在各种电器、电路中装配灵活性,拓展了应用场景范围并提高了场景下运行的功能稳定性,有利于获得更大的转换效率并降低能耗,使电感器件应用更环保,且电感导体的竖板部底端在完成电感器件成品组装后直接成型为接脚,简化了组装工艺。
技术领域
本实用新型涉及一种功率电感结构,尤其涉及一种在PCB应用中组装简化、整体占用空间优化、能降低EMI传导泄漏的非耦合双电感结构。
背景技术
功率电感是电子设备中常用的一种元器件,同时也是电路的重要组成元件之一,被广泛应用于各类电路中,获得滤波、储能、匹配、谐振等功用。
近年来,随着人工智能、大数据计算、云端服务器、自动驾驶技术的不断发展,对硬件设备的性能要求日渐苛刻,尤其对局部功率要求越来越大。而通常情况下IC所输入的电压被设计得越来越低,为满足功率需求,增大电流便成为了电路设计中的不二选择。另一方面,以车用5G通信模块、人工智能终端等电子设备为例,考虑到应用场合的特殊性,在功率电感的产品构思和设计时,其外部尺寸、内部结构等方面均有着较为严格的要求。不仅要考虑对设备内部空间的充分利用,同时在设备内部各种电子元器件紧密排布的前提下,需要将功率电感对其它元器件正常运作所产生的干扰减至最低。
综合PCB电子元器件集成的紧缩空间要求和电感器件转化效率、能耗和电磁辐射的性能要求,需要在现有技术的基础上,对电感器件(尤其是非耦合双电感)的结构进行全面优化设计,提高产率、良率的同时使其能够适用于各类应用场景中。
发明内容
本实用新型的目的旨在提出一种非耦合双电感,以使其适用于各类云服务器的GPU外设、PC电脑主板、自动驾驶图像处理系统、矿机或游戏机等高精密度的应用场景。
本实用新型实现上述目的的技术解决方案是,一种非耦合双电感,包括一个磁芯,主体呈长方形块体且顶部沿宽度方向设有相平行的两条方底沉槽,所述方底沉槽之间设为隔空凸部,且任一方底沉槽的外侧设有与隔空凸部相对的栏板部;一对套装于磁芯的电感导体,任一电感导体由铜带钣金成型为具有中间平桥部及其两侧竖板部的U型块体,其中平桥部嵌接相容于方底沉槽中,竖板部平贴包裹磁芯宽度方向的两侧壁;一个挡磁力线泄漏的片状盖体,贴合于磁芯顶面并完全覆盖方底沉槽及所套装的电感导体;并且,由磁芯一个方底沉槽中插装的电感导体与隔空凸部、对应侧栏板部及一部分磁芯相互组合成第一电感,由磁芯另一个方底沉槽中插接的电感导体与隔空凸部、对应侧栏板部及另一部分磁芯相互组合成第二电感。
上述非耦合双电感,进一步地,所述方底沉槽相对磁芯顶面的沉降落差大于电感导体的平桥部的厚度。
上述非耦合双电感,进一步地,所述电感导体为由铜带连续弯折成型且适于双向安装的独一形态,在磁芯俯视角度下所述平桥部的宽度小于所述竖板部的宽度,且平桥部与竖板部一侧表面齐平、另一侧表面相错位,且竖板部的长度满足电感导体套装定型状态下相对磁芯底面露头。
上述非耦合双电感,更进一步地,所述电感导体为钣金成型并经镍、锡表面处理的C1100铜带,其中镍的厚度1μm以下,锡的厚度介于8μm~12μm。
上述非耦合双电感,进一步地,所述片状盖体为烧结成型的锰锌铁氧体,且片状盖体的磁导率ui介于2500~3800。
上非耦合双电感,进一步地,所述隔空凸部、各栏板部表面涂设有粘胶层,所述片状盖体粘接固定于磁芯顶侧。
上述非耦合双电感,进一步地,所述片状盖体的表面成型有对应功率电感规格型号的立体标记层。
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