[实用新型]一种压阻式压力传感器

权利要求书

1.一种压阻式压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括硅基层、金属引线，所述硅基层的一个侧面设置有凹陷结构，所述凹陷结构的底部形成硅膜片，所述硅膜片远离所述凹陷结构一侧的表面上设置有超浅掺杂区，所述金属引线固定设置于所述硅基层远离所述凹陷结构一侧，所述超浅掺杂区通过所述金属引线连接形成电回路。

2.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述超浅掺杂区的掺杂深度的纳米量级。

3.根据权利要求2所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述超浅掺杂区的掺杂离子为硼离子或磷离子。

4.根据权利要求3所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述超浅掺杂区为四个，所述四个超浅掺杂区通过金属引线连接，形成惠斯通电桥。

5.根据权利要求4所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述惠斯通电桥中对侧的两个所述超浅掺杂区的掺杂厚度相同，且邻侧的两个所述超浅掺杂区的掺杂厚度不同。

6.根据权利要求1-5任一项所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述凹陷结构远离所述超浅掺杂区一侧固定设置有玻璃，所述玻璃与所述凹陷结构之间形成腔室。

7.根据权利要求6所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述玻璃和所述凹陷结构通过阳极键合技术键合固定连接。

8.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述金属引线使用磁控溅射或沉积法制备。

9.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述超浅掺杂区采用低能量的离子注入工艺制造。

10.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器，其特征在于，所述凹陷结构采用时分复用法刻蚀技术制备。