[实用新型]一种低热阻LED芯片

权利要求书

1.一种低热阻LED芯片，其特征在于，包括：

复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；

通过切割道相互隔离的若干个子外延叠层单元，各所述子外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面；且所述切割道裸露所述第一衬底；各所述子外延叠层至少包括沿所述第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层；所述第一方向垂直于所述复合衬底，并由所述复合衬底指向所述外延叠层；

第一接触电极，其设置于所述第一型半导体层背离所述有源区的一侧表面。

2.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。

3.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层的熔点高于所述第一键合层的熔点。

4.根据权利要求2所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第一键合层具有导电性。

5.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，对所述第一衬底进行剥离时所需要的温度，其介于第一键合层的熔点和第二键合层的熔点之间。

6.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层包括欧姆接触层、金属反射层中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层包括Au、In、Ni、Sn、Ag、Cu中的一种或者至少两种所形成的合金。