[实用新型]一种晶舟结构有效
申请号: | 202223032159.0 | 申请日: | 2022-11-15 |
公开(公告)号: | CN218918813U | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 邱锦华;施剑华 | 申请(专利权)人: | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 尤彩红 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 | ||
1.一种晶舟结构,用于承载晶圆,其特征在于,所述晶舟结构包括:自下而上依次间隔设置的多个承载单元,每个所述承载单元包括至少两个承载结构,至少两个所述承载结构呈圆周均匀分布形成一承载面;各所述承载结构沿所属的所述承载面的径向延伸,具有相对的第一端和第二端,属于同一所述承载单元的所述承载结构的所述第一端固定,所述第二端相互靠近。
2.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,所述承载面的半径为R,所述承载结构的长度为L,其中,2/3R≤L≤R。
3.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,各所述承载结构具有凹陷部,所述凹陷部朝靠近下方的所述承载单元的方向凹陷。
4.如权利要求3所述的晶舟结构,其特征在于,所述承载结构包括承载件,所述承载件沿所属的所述承载面的径向延伸,且所述承载件的部分向靠近下方的所述承载单元的方向凹陷形成所述凹陷部。
5.如权利要求4所述的晶舟结构,其特征在于,所述凹陷部的宽度至少为所述承载件长度的2/3。
6.如权利要求4所述的晶舟结构,其特征在于,所述承载结构还包括至少两个承载体,至少两个所述承载体分设于所述承载件上,且位于所述凹陷部两侧。
7.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,各所述承载单元为一体成型结构。
8.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,所述晶舟结构还包括支撑结构,所述支撑结构包括一对上下间隔且平行设置的支撑环和至少两个支撑柱,至少两个所述支撑柱沿所述支撑环的周向均匀间隔分布,属于同一所述承载单元的至少两个所述承载结构的所述第一端设于不同的所述支撑柱,且设于同一高度。
9.如权利要求8所述的晶舟结构,其特征在于,属于同一所述承载单元的所述承载结构的数量与所述支撑柱的数量相等,且一一对应连接。
10.如权利要求8或9所述的晶舟结构,其特征在于,所述支撑结构包括三个所述支撑柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造