[实用新型]一种叠瓦组件用冲孔型反光焊带及叠瓦组件有效
申请号: | 202223099706.7 | 申请日: | 2022-11-22 |
公开(公告)号: | CN219180526U | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 程中广;闵耀焰 | 申请(专利权)人: | 无锡市斯威克科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0236;H01L31/054 |
代理公司: | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人: | 曹丽丹;屠志力 |
地址: | 214140 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 孔型 反光 | ||
1.一种叠瓦组件用冲孔型反光焊带,其特征在于,包括正面焊接区(1)、背面焊接区(2)以及位于二者之间的串焊区(3),所述串焊区(3)与正面焊接区(1)及背面焊接区(2)之间分别设置有镂空区(4),所述镂空区(4)间隔设置,相邻镂空区(4)之间设置有连接区(5)。
2.根据权利要求1所述的叠瓦组件用冲孔型反光焊带,其特征在于,所述冲孔型反光焊带采用铜基材一体成型,其上表面具有规则排布的三角形沟槽(6)。
3.根据权利要求1所述的叠瓦组件用冲孔型反光焊带,其特征在于,所述正面焊接区(1)及串焊区(3)的上表面具有厚度为1~10 μm的第一焊料层(13),下表面具有厚度为25±10 μm的第二焊料层(31)。
4.根据权利要求1所述的叠瓦组件用冲孔型反光焊带,其特征在于,所述冲孔型反光焊带的整体厚度为0.05~0.15mm,宽度4~30mm;所述正面焊接区(1)的宽度为2±1mm,背面焊接区(2)的宽度为4±2mm;所述镂空区(4)的宽度为5±3mm,长度为25±10mm;所述连接区(5)的宽度为2±1mm。
5.根据权利要求1所述的叠瓦组件用冲孔型反光焊带,其特征在于,所述串焊区(3)的头部和尾部分别向外凸出3~10mm形成凸起部(7)。
6.根据权利要求2所述的叠瓦组件用冲孔型反光焊带,其特征在于,所述背面焊接区(2)的上表面具有厚度为20~70 μm的第三焊料层(20),下表面具有厚度为25±10 μm的第四焊料层(21),所述第三焊料层(20)的厚度不小于所述三角形沟槽(6)的槽深。
7.根据权利要求2所述的叠瓦组件用冲孔型反光焊带,其特征在于,所述三角形沟槽(6)具有两个反光面(61),所述两个反光面(61)形成夹角为120°±20°的V型截面,所述反光面由铜基材及其上涂覆的厚度为1~15 μm的反光涂层形成。
8.一种叠瓦组件,其特征在于,包括权利要求1-7之一所述的冲孔型反光焊带及电池片,所述电池片采用叠瓦式排布,所述冲孔型反光焊带设置在两电池片之间的叠加处。
9.根据权利要求8所述的叠瓦组件,其特征在于,所述冲孔型反光焊带的正面焊接区(1)的下表面与第一电池片(8)的正面焊接在一起,所述背面焊接区(2)的上表面与第二电池片(9)的背面焊接在一起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的