[实用新型]一种副边侧整流桥功率控制电路和装置有效

专利信息
申请号: 202223104415.2 申请日: 2022-11-22
公开(公告)号: CN218920281U 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 秦铖;林桂江;沙锦明;叶妙静 申请(专利权)人: 厦门新页科技有限公司
主分类号: H02M7/04 分类号: H02M7/04;H02M7/219;H02M7/06;H02J50/12;H02J7/00;B60L53/12
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摘要:
搜索关键词: 一种 副边侧 整流 功率 控制电路 装置
【说明书】:

公开了一种副边侧整流桥功率控制电路和装置,包括通过第一谐振电路模块连接的接收线圈和副边侧整流桥功率控制模块,副边侧整流桥功率控制模块包括二极管D9和第二整流单元,第二整流单元包括相互并联的MOS7管和二极管D10,二极管D9的正极耦接于第一谐振电路模块的一端和MOS7管的D极。解决了现有技术中因为桥前电流畸变导致供给负载的电压改变,造成副边侧的输出电压会出现过压和欠压等技术问题。

技术领域

实用新型涉及无线充电技术领域,并且特别涉及一种副边侧整流桥功率控制电路和装置。

背景技术

在大功率无线充电系统中,副边侧整流桥采用二极管(被动式),或者开关管(主动式),主动式可以实现副边侧功率控制,实现快速保护、响应等特点,因此,开关管(主动式)在大功率应用中越来越广泛。但是,将开关管(主动式)加入副边侧控制后,整流桥的桥前电压受控制本身影响,导致桥前电流出现畸变,因此,该同步源需慎重考虑。

如何实现在保证实现保护快速响应优点的情况下,实现控制稳定可靠,且不会因为桥前电流畸变导致供给负载的电压改变,造成副边侧的输出电压会出现过压和欠压,或通过采集桥前电路过零点电流发生畸变,根据接收和桥前相差90度的相位关系,间接算出桥前电流相位从而导致负载和后级电路出现相关性差等问题,而影响负载的正常工作,导致无线电能传输无法正常工作,成了亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提出了一种副边侧整流桥功率控制电路和装置,解决现有技术中因为桥前电流畸变导致供给负载的电压改变,造成副边侧的输出电压会出现过压和欠压等问题。

为了实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:

一方面,本实用新型提出了一种副边侧整流桥功率控制电路,包括通过第一谐振电路模块连接的接收线圈和副边侧整流桥功率控制模块,副边侧整流桥功率控制模块包括二极管D9和第二整流单元,第二整流单元包括相互并联的MOS7管和二极管D10,二极管D9的正极耦接于第一谐振电路模块的一端和MOS7管的D极。凭借MOS7管和二极管D10的设置,配合接收线圈电流零点的采集,实现通过MOS7管电压和驱动波形实现对负载功率的调节功能。

进一步,副边侧整流桥功率控制模块还包括二极管D12和第四整流单元,第四整流单元包括相互并联的MOS6管和二极管D11,二极管D12的正极耦接于第一谐振电路模块的另一端和MOS6管的D极。凭借MOS6管和二极管D12的设置,配合接收线圈电流零点的采集,实现通过MOS6管电压和驱动波形实现对负载功率的调节功能。

进一步,副边侧整流桥功率控制模块还包括与MOS7管和二极管D10并联的峰值电容C3,峰值电容C3的一端分别与MOS7管的S极和二极管D10的正极连接。凭借峰值电容C3的设置,避免毛刺和突变电压,提高抗干扰性,且通过采集MOS7管的DS电压,比对MOS7管的DS电压和GS电压,获得α角度的相差。

更进一步,副边侧整流桥功率控制模块还包括与MOS6管和二极管D11并联的峰值电容C5,峰值电容C5的一端分别与MOS6管的S极和二极管D11的正极连接。凭借峰值电容C5的设置,避免毛刺和突变电压,提高抗干扰性,且通过采集MOS6管的DS电压,比对MOS6管的DS电压和GS电压,获得α角度的相差。

更进一步,第一谐振电路模块包括相互串联的副边补偿电容和输入电感Lf2。

更进一步,副边补偿电容包括相互串联电容Cs和并联电容Cf2。

更进一步,二极管D9的正极耦接并联电容Cf2的一端和MOS7管的D极,二极管D12的正极耦接并联电容Cf2的另一端和MOS6管的D极。

进一步,还包括与副边侧整流桥功率控制模块通信连接的副边侧监控模块。

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