[实用新型]一种半边打K抗干扰电阻有效
| 申请号： | 202223137883.X | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN218730181U | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王福来;林裕彬;陈秀珠 | 申请（专利权）人： | 世盟电子（惠州）有限公司 |
| 主分类号： | H01C3/20 | 分类号： | H01C3/20;H01C1/14;H01C1/06 |
| 代理公司： | 广东信诚国昊知识产权代理有限公司 44925 | 代理人： | 薛婷 |
| 地址： | 516000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半边 抗干扰 电阻 | ||
1.一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，包括：
绝缘棒(1)，其表面涂有金属氧化导电膜；
电阻丝(2)，环绕在所述绝缘棒(1)上；
第一引脚(3)，通过第一端帽(5)固定连接在所述绝缘棒(1)一侧，所述第一引脚(3)向下弯折成高度大于所述电阻元件直径的K形结构；
第二引脚(4)，通过第二端帽(6)固定连接在相对于第一引脚(3)的所述绝缘棒(1)另一侧，所述第二引脚(4)固定连接有磁珠(7)，所述磁珠(7)呈腰鼓状；
外壳(8)，套在所述绝缘棒(1)外侧，所述外壳(8)与所述绝缘棒(1)间隙填充有环氧树脂(10)，所述外壳(8)两端均设有通孔用于穿过第一引脚(3)和第二引脚(4)。
2.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述绝缘棒(1)由三氧化二铝陶瓷制成。
3.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述第一端帽(5)和第二端帽(6)为镀锡铁金属帽。
4.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述第一端帽(5)和第二端帽(6)通过至少两个螺钉与绝缘棒1连接。
5.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述磁珠(7)点焊在所述第二引脚(4)上。
6.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述外壳(8)为哑铃状，采用硅树脂制成，外表面涂有色环标志漆(11)。
7.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述K形结构的中部设有V形凹槽。
8.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述第一引脚(3)还可以向下弯折成高度大于所述电阻元件直径的U形结构或C形结构或L形结构。
9.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述外壳(8)内表面开设有条形散热槽(9)。
10.根据权利要求1所述的一种半边打K抗干扰电阻，其特征在于，所述第一引脚(3)和第二引脚(4)为镀锡铜线。
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