[实用新型]半导体器件和电子器件有效

专利信息
申请号: 202223142008.0 申请日: 2022-11-25
公开(公告)号: CN219180514U 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: V·普利西;G·贝洛基;S·拉斯库纳 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 丁君军
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 电子器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:

碳化硅半导体本体,包括表面;

所述半导体本体的所述表面上的绝缘结构;

所述绝缘结构上的界面层;

所述界面层上的钝化层,所述钝化层具有锚固元件,所述锚固元件包括:

突出部,从所述钝化层开始完全延伸通过所述界面层并且至少部分地通过所述绝缘结构,所述突出部在到达所述半导体本体的所述表面之前终止于所述绝缘结构内、并且具有带有所述钝化层的单片本体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述锚固元件包括:

第一部分,在所述界面层中在距所述表面第一距离处延伸,并且在平行于第一轴线的方向上具有最大尺寸,所述第一轴线平行于所述表面,并且所述最大尺寸具有第一值;以及

第二部分,在所述绝缘结构中在所述第一部分的结构延续部中延伸,并且在平行于所述第一轴线的方向上具有相应的最大尺寸,所述相应的最大尺寸具有大于所述第一值的第二值。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述锚固元件的所述第二部分部分地延伸到所述绝缘结构内部或完全延伸通过所述绝缘结构。

4.一种电子器件,其特征在于,包括:

碳化硅半导体本体,包括表面;

所述半导体本体的所述表面上的第一材料的第一绝缘层;

金属材料层,部分地在所述半导体本体的所述表面上并且部分地在所述第一绝缘层上延伸;

在所述第一绝缘层上并且在所述金属材料层上的界面层,所述界面层由不同于所述第一材料的第二材料制成;

界面层上的钝化层;以及

所述钝化层的锚固元件,朝向所述第一绝缘层突出并且完全延伸通过所述界面层的开口并且终止于所述第一绝缘层内,所述锚固元件在平行于所述表面的方向上具有至少一个尺寸,所述至少一个尺寸大于所述开口的相应尺寸。

5.根据权利要求4所述的电子器件,其特征在于,所述界面层将所述钝化层耦合到所述绝缘层,并且所述界面层被配置为有利于所述钝化层与所述绝缘层的粘附。

6.根据权利要求4所述的电子器件,其特征在于,所述锚固元件完全延伸通过所述界面层的第一厚度和所述第一绝缘层的第二厚度。

7.根据权利要求4所述的电子器件,其特征在于,所述锚固元件延伸通过所述界面层的第一厚度和所述第一绝缘层的第二厚度的一部分,并且所述锚固元件在到达所述半导体本体的所述表面之前终止于所述第一绝缘层内。

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