[实用新型]发光器件

说明书

本实用新型公开了一种发光器件，包括：衬底以及外延结构，所述外延结构形成于所述衬底表面，所述外延结构被设置成一个或多个发光单元，每个发光单元具有发光孔以及围绕所述发光孔设置的接触电极；其中，当所述外延结构被设置成多个发光单元时，相邻所述发光单元之间相连接，且相邻所述发光单元相连接的部分上形成有连接相邻所述发光单元上接触电极的连接电极，所述连接电极与所述接触电极一体成型。本实用新型的发光器件，其能够提升外延结构的利用率，避开连接电极需要通过表面不平的沟道的情况，实现同一光刻工艺下发光单元的接触电极间的完全互联。

技术领域

本实用新型是关于一种半导体发光器件技术领域，特别是关于一种表面发射激光器器件以及包含其的发光器件。

背景技术

随着半导体器件的应用领域变得多样化，例如，在传统的半导体光源器件技术中，存在垂直腔面发射激光器(VCSEL)，其被用于光通信、光学并行处理、光学连接、3D人脸识别、汽车雷达等，在这种通信模块中使用的激光二极管的情况下，其被设计为在低电流下操作，发光孔通常在单个。然而，当这样的VCSEL应用于激光二极管接近传感，2D测距、3D识别等情况下，其在相对高的电流下操作，同时为了提高功率，根据需求不同，发光孔的数量就要增加。

在VCSEL工艺中，通过氧化等工艺形成氧化孔径来限制电流，所以将在发光孔周边的外延刻蚀掉，当发光孔增加时候，发光孔的排列会影响到芯片的面积，因为发光孔和发光孔间的刻蚀掉的空隙是无效的空间。

在现有技术中，已经尝试通过VCSEL发光孔的规则阵列到斜角线排列，同时减少孔洞和孔洞的间距来减少浪费的面积。然而现有的技术中孔洞的间距减小，刻蚀就会成为问题。因为刻蚀工艺在刻蚀很窄的深沟道时会出现刻蚀不干净，侧面斜面角度控制不好等问题。同时，在接触电极工艺形成时候，各个发光孔之间的接触电极是分开的，通过再次形成连接电极连接接触电极。为了连接发光孔的接触电极，需要连接电极跨过深沟道，深沟道如果太窄，连接电极在跨过深窄沟道时，连接电极的覆盖度和连续性就会成为问题。虽然可以通过多聚物的填充来减少这样的问题，但多聚物会增加成本，同时多聚物散热不好，容易吸收水分，对器件稳定度来说具有很大的隐患。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光器件，其能够提升外延结构的利用率，避开连接电极需要通过表面不平的沟道的情况，实现同一光刻工艺下发光单元的接触电极间的完全互联。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种发光器件，包括：衬底以及外延结构，所述外延结构形成于所述衬底表面，所述外延结构被设置成一个或多个发光单元，每个发光单元具有发光孔以及围绕所述发光孔设置的接触电极；其中，当所述外延结构被设置成多个发光单元时，相邻所述发光单元之间相连接，且相邻所述发光单元相连接的部分上形成有连接相邻所述发光单元上接触电极的连接电极，所述连接电极与所述接触电极一体成型。

在一个或多个实施方式中，当所述外延结构被设置成多个发光单元时，相邻所述发光单元相连接的部分在所述衬底厚度方向上的上表面与所述发光单元在该方向上的上表面齐平。

在一个或多个实施方式中，当所述外延结构被设置成多个发光单元时，相邻所述发光单元相互分离设置，相邻所述发光单元之间形成有与所述发光单元一体成型连接部，所述连接部构成所述相连接的部分，所述连接电极形成于所述连接部上并延伸至所述发光单元上。

在一个或多个实施方式中，当所述外延结构被设置成多个发光单元时，相邻所述发光单元相切设置，相邻发光单元之间自相切处延伸形成有与所述发光单元一体成型连接部，所述连接部构成所述相连接的部分，所述连接电极形成于所述连接部和所述发光单元上。