[实用新型]一种波长可调的OADM器件

权利要求书

1.一种波长可调的OADM器件，其特征在于：结构从下自上依次为衬底层、底层波导芯层(4)、中层波导芯层(5)、顶层电极层(6)，各个层间均有包覆层隔开；

所述底层波导芯层(4)包括2×2多模干涉耦合器Ⅰ(1)、2×2多模干涉耦合器Ⅱ(3)、锥形输出波导X1、锥形输出波导X2、锥形输入波导X3、锥形输入波导X4；2×2多模干涉耦合器Ⅰ(1)分别与锥形输出波导X1、锥形输出波导X2连接，锥形输入波导X3、锥形输入波导X4分别与2×2多模干涉耦合器Ⅱ(3)连接；

所述中层波导芯层(5)包括Si₃N₄光栅Ⅰ(2)、锥形输入波导Y1、锥形输入波导Y2、锥形输出波导Y3、锥形输出波导Y4、输入端直波导Z1、输入端直波导Z2、输出端直波导Z3、输出端直波导Z4、Si₃N₄光栅Ⅱ(7)；

锥形输入波导Y1、输入端直波导Z1、Si₃N₄光栅Ⅰ(2)、输出端直波导Z3、锥形输出波导Y3依次连接；

锥形输入波导Y2、输入端直波导Z2、Si₃N₄光栅Ⅱ(7)、输出端直波导Z4、锥形输出波导Y4依次连接；

锥形输入波导Y1、锥形输入波导Y2分别位于锥形输出波导X1、锥形输出波导X2正上方，锥形输出波导Y3、锥形输出波导Y4分别锥形输入波导X3、锥形输入波导X4正上方；

所述顶层电极层(6)中电极分布于2×2多模干涉耦合器Ⅰ(1)、2×2多模干涉耦合器Ⅱ(3)的多模波导区Ⅰ(15)、多模波导区Ⅱ(35)上方以及Si₃N₄光栅Ⅰ(2)上方；

所述2×2多模干涉耦合器Ⅰ(1)、2×2多模干涉耦合器Ⅱ(3)分别位于中层波导芯层(5)首尾下方关于中层波导芯层(5)的中心呈对称分布。

2.根据权利要求1所述的波长可调的OADM器件，其特征在于：所述2×2多模干涉耦合器Ⅰ(1)包括单模输入波导Ⅰ(11)、单模输入波导Ⅱ(12)、多模波导区Ⅰ(15)、单模输出波导Ⅰ(13)、单模输出波导Ⅱ(14)；单模输入波导Ⅰ(11)、单模输入波导Ⅱ(12)均与多模波导区Ⅰ(15)相连，多模波导区Ⅰ(15)分别与单模输出波导Ⅰ(13)、单模输出波导Ⅱ(14)相连，单模输出波导Ⅰ(13)、单模输出波导Ⅱ(14)分别连接锥形输出波导X1、锥形输出波导X2；

所述2×2多模干涉耦合器Ⅱ(3)包括单模输入波导Ⅲ(31)、单模输入波导Ⅳ(32)、多模波导区Ⅱ(35)、单模输出波导Ⅲ(33)、单模输出波导Ⅳ(34)；锥形输入波导X3、锥形输入波导X4分别与单模输入波导Ⅲ(31)、单模输入波导Ⅳ(32)相连，单模输入波导Ⅲ(31)、单模输入波导Ⅳ(32)均与多模波导区Ⅱ(35)连接，多模波导区Ⅱ(35)再分别与单模输出波导Ⅲ(33)、单模输出波导Ⅳ(34)连接；

所述锥形输出波导X1、锥形输出波导X2尖端朝右，锥形输入波导X3、锥形输入波导X4尖端朝左；锥形输入波导Y1、锥形输入波导Y2尖端朝左，锥形输出波导Y3、锥形输出波导Y4尖端朝右。

3.根据权利要求1所述的波长可调的OADM器件，其特征在于：所述底层波导芯层(4)在中层波导芯层(5)下方，底层波导芯层(4)与中层波导芯层(5)进行层间耦合具体为：光信号由2×2多模干涉耦合器Ⅰ(1)完成分光后进入锥形输出波导X1、锥形输出波导X2后耦合进锥形输入波导Y1、锥形输入波导Y2，通过Si₃N₄光栅Ⅰ(2)、Si₃N₄光栅Ⅱ(7)后根据布拉格条件将符合布拉格波长的光信号反射至2×2多模干涉耦合器Ⅰ(1)，其余波长光信号经过输出端直波导Z3、输出端直波导Z4和锥形输出波导Y3、锥形输出波导Y4耦合进锥形输入波导X3、锥形输入波导X4再进入2×2多模干涉耦合器Ⅱ(3)。