[实用新型]压力传感器有效
申请号: | 202223212784.3 | 申请日: | 2022-11-30 |
公开(公告)号: | CN218646479U | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 吕萍 | 申请(专利权)人: | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14;B81B7/02;B81B7/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压力传感器 | ||
本实用新型涉及一种压力传感器,该压力传感器包括:衬底,设置在衬底的第一侧上的第一电极层以及第一介质层,设置在第一介质层上的第二介质层,以及,设置在第二介质层上的第二电极层;衬底、第一介质层、第二介质层围设形成密封腔体,第一电极层的第一部分位于密封腔体内,从而构成第一电极;第二电极层中与第一电极对应的部分构成第二电极,第一电极与第二电极构成一组可变电容,充分利用了密封腔体的空间,增大了第一电极的极板面积,并且第二电极层中与第一电极对应的部分构成第二电极,不同的第一电极单独对应一个第二电极,从而提高了压力传感器的灵敏度。
技术领域
本实用新型涉及传感器领域,尤其涉及一种压力传感器。
背景技术
MEMS(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)压力传感器是发展最早、市场占有率极大的微机电传感器,被广泛应用于消费电子、医疗、汽车、工控等领域。压阻式压力传感器和电容式压力传感器是MEMS压力传感器的两种类型。其中,压阻式压力传感器具有高灵敏度、低功耗、高线性度等优点,但是其最大的缺点是温漂,对温度敏感,因为其电阻是采用半导体掺杂工艺形成,极容易受温度影响;而电容式压力传感器等与压阻式相比,其最大的优点是低温漂,因为其通过检测两个极板之间的电容变化输出信号,其温漂远低于压阻。因此,在一些对温度稳定性要求苛刻的应用下,如高度计、无人机等,通常会采用电容式压力传感器。
目前,常用的电容式压力传感器包括衬底,形成于衬底上的绝缘层,形成于绝缘层上的下电极以及通过介质层支撑的下电极上方的压力敏感膜,下电极位于绝缘层与介质层之间形成的空腔内,并且每一个空腔内设置有多个间隔的下电极,从而使得下电极的有效面积减小,并且不同的下电极对应同一个上电极从而使得电容式压力传感器的灵敏度较小。
实用新型内容
本实用新型公开了一种压力传感器,提高了压力传感器的灵敏度,具体方案如下:
第一方面,提供一种压力传感器,包括:衬底,设置在所述衬底的第一侧上的第一电极层以及第一介质层,设置在所述第一介质层上的第二介质层,以及,设置在所述第二介质层上的第二电极层;
所述衬底、所述第一介质层以及所述第二介质层围设形成密封腔体,所述第一电极层的第一部分位于所述密封腔体内,从而构成第一电极;
所述第二电极层中与所述第一电极对应的部分构成第二电极,所述第一电极与所述第二电极构成一组可变电容。
进一步地,在垂直于所述衬底的厚度方向的平面上,所述第一电极的投影覆盖所述第二电极的投影。。
进一步地,所述第二介质层包括第一子介质层以及第二子介质层;
所述第一子介质层覆盖在所述第一介质层上,所述第二子介质层覆盖在所述第一子介质层上;
所述第二电极层的下表面与所述第二子介质层的上表面平齐。
进一步地,所述第二介质层包括第一子介质层以及第二子介质层;
所述第一子介质层覆盖在所述第二介质层上,所述第二子介质层覆盖在所述第一子介质层上;
所述第二电极层的上表面与所述第二子介质层的上表面平齐。
进一步地,所述第一电极层还包括位于所述密封腔体外且被所述第一介质层覆盖的第二部分,所述第一部分与所述第二部分电性连接;
所述压力传感器还包括第三介质层、第一焊盘和第二焊盘,其中,所述第三介质层覆盖在所述第二介质层和所述第二电极层表面,所述第一焊盘贯穿所述第三介质层、所述第二介质层以及所述第一介质层从而与所述第一电极层的所述第二部分电性连接,所述第二焊盘贯穿所述第三介质层的从而与所述第二电极电性连接。
进一步地,所述衬底、所述第一介质层以及所述第二介质层围设形成多个所述密封腔体,不同的密封腔体之间通过所述第以介质层相互隔离;
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