[实用新型]一种可调电压的传感器激励电路有效
| 申请号： | 202223295608.0 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN218547337U | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 王博玉;樊融;杨朋;曹文文 | 申请（专利权）人： | 西安安森智能仪器股份有限公司;杭州安森智能信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市经济技术*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调 电压 传感器 激励 电路 | ||
1.一种可调电压的传感器激励电路，其特征在于，包括DC-DC电源芯片、驱动芯片、集成场效应管和单片机；
所述DC-DC电源芯片接入输入电压，升压后其输出引脚分别串联有分压电阻R3、以及串联的分压电阻R5和可调电压分压电阻R7；所述可调电压分压电阻R7的两端并联有NMOS管的源极和漏极，所述NMOS管的栅极与单片机的I/O口连接，通过单片机控制导通和短路；
所述集成场效应管包括2个N沟道场效应管，其中一个N沟道场效应管的漏极接入分压电阻R3的输出电压作为驱动电压，源极与另一个N沟道场效应管的漏极相连并接入输出端口；另一个N沟道场效应管源极接地，2个N沟道场效应管的2个栅极分别接驱动芯片的HO和LO引脚。
2.根据权利要求1所述的一种可调电压的传感器激励电路，其特征在于，所述DC-DC电源芯片为LT8331芯片。
3.根据权利要求1所述的一种可调电压的传感器激励电路，其特征在于，所述驱动芯片为IR2103S芯片。
4.根据权利要求1所述的一种可调电压的传感器激励电路，其特征在于，所述集成场效应管为FDS89161LZ型号集成场效应管。
5.根据权利要求1所述的一种可调电压的传感器激励电路，其特征在于，所述NMOS管为2N7002型号NMOS管。
6.根据权利要求1所述的一种可调电压的传感器激励电路，其特征在于，所述单片机为STM32单片机。
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