[实用新型]一种异质结双极晶体管结构有效
| 申请号： | 202223320712.0 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN219226298U | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 丁帼君;赵亚楠;姜清华;黄玺 | 申请（专利权）人： | 常州承芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/417;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张英英 |
| 地址： | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 结构 | ||
1.一种异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括：
衬底；
金属层，位于所述衬底上；
集电层，位于所述金属层上；
若干集电极，位于所述金属层上，所述金属层与若干所述集电极电连接；
基极层，位于所述集电层上；
基极电极，嵌入所述基极层；
发射层，位于所述基极层上；以及
发射电极，位于所述发射层上。
2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，若干所述集电极包括两个所述集电极，分别位于所述集电层的两侧；
其中，所述金属层的宽度减去所述集电层和各个集电极的宽度之和得到的差值在第一预设区间内。
3.根据权利要求2所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述第一预设区间为：-2μm至0.2μm。
4.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述金属层的形状与所述集电层的形状一致。
5.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述金属层的厚度在第二预设区间内。
6.根据权利要求5所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述第二预设区间为：至
7.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述金属层的材料选自：铜、金、银、铝。
8.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述异质结双极晶体管结构还包括：
砷化镓层，位于所述衬底上，并位于所述金属层外侧。
9.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：
第一发射电极过渡层，位于所述发射层上，所述发射电极位于所述第一发射电极过渡层上方。
10.根据权利要求9所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：
第二发射电极过渡层，位于所述第一发射电极过渡层上，所述发射电极位于所述第二发射电极过渡层上方。
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