[实用新型]高密度沟槽栅IGBT器件有效
| 申请号： | 202223402325.1 | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN218887194U | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 沟槽 igbt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.高密度沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，其特征在于，所述发射极PAD区设置第一沟槽，所述栅极PAD区设置第二沟槽，第一沟槽的长度方向与第二沟槽的长度方向相垂直，第二沟槽的宽度大于或等于第一沟槽的宽度。
2.根据权利要求1所述的高密度沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第一沟槽的宽度为0.8-1.5um。
3.根据权利要求1所述的高密度沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第一沟槽设置多个，相邻的两个第一沟槽之间的间距为0.4-3um。
4.根据权利要求1至3任一所述的高密度沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第二沟槽的宽度为0.8-1.8um。
5.根据权利要求4所述的高密度沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第二沟槽设置多个，相邻的两个第二沟槽之间的间距为0.4-3um。
6.根据权利要求1至3任一所述的高密度沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第一沟槽的长度大于所述第二沟槽的长度。
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