[实用新型]一种PMOS栅极驱动电路有效
| 申请号： | 202223455965.9 | 申请日： | 2022-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN219145358U | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 周龙鹏 | 申请（专利权）人： | 成都晨电智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/041 | 分类号： | H03K17/041;H03K17/687 |
| 代理公司： | 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 | 代理人： | 邹广春 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流县西南航空*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 栅极 驱动 电路 | ||
1.一种PMOS栅极驱动电路，其特征在于，包括：
输入输出模块；
控制模块；
上拉提升模块；
其中，所述输入输出模块包括电压输入端和电压输出端；
所述控制模块包括信号输入端和信号输出端，所述信号输出端和所述电压输出端连接；
所述控制模块，被设置为在所述信号输入端接收到第一控制电压时，所述控制模块的信号输出端与地导通；在所述信号输入端接收到第二控制电压时，所述控制模块断开；
所述上拉提升模块的第一输入端与所述信号输入端连接，第二输入端与所述电压输入端相连，所述上拉提升模块的输出端和所述电压输出端连接；
所述上拉提升模块，被设置为在所述输入端接收到的所述第一控制电压转换为所述第二控制电压时，所述输出端输出上拉电压。
2.根据权利要求1所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述控制模块还包括电阻R1和三极管Q1；
所述信号输入端和所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的发射极接地，集电极连接至所述电压输出端。
3.根据权利要求1所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述上拉提升模块包括电容C1、二极管D1、三极管Q2和电阻R2；
所述电容C1的一端连接至所述信号输入端，另一端与所述三极管Q2的基极和所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极和所述三极管的发射极连接，所述三极管Q2的集电极和所述三极管Q1的集电极连接，所述电阻R2的一端和所述三极管Q2的发射极连接，所述电阻R2的另一端与所述电压输入端连接。
4.根据权利要求2所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述输入输出模块还包括电阻R3，所述电阻R3的一端和所述电压输入端连接，另一端和所述电压输出端连接。
5.根据权利要求4所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述输入输出模块还包括稳压管D2，所述稳压管D2的正极和所述电压输出端连接，所述稳压管D2的负极和所述电压输出端连接。
6.根据权利要求2所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述电阻R1的阻值范围为1kΩ-100kΩ。
7.根据权利要求3所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述电阻R2的阻值范围为1Ω-100Ω。
8.根据权利要求4所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述电阻R3的阻值范围为100Ω-10kΩ。
9.根据权利要求1所述的PMOS栅极驱动电路，其特征在于，所述电压输入端接收的电压范围为5V-20V。
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