[实用新型]一种低热阻光伏旁路二极管有效
申请号: | 202223463180.6 | 申请日: | 2022-12-25 |
公开(公告)号: | CN218918906U | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 武建国;陈海波 | 申请(专利权)人: | 常州星海电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044;H01L31/05 |
代理公司: | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人: | 于雅洁 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低热 阻光伏 旁路 二极管 | ||
本实用新型公开了一种低热阻光伏旁路二极管,它包括基板,所述基板上设置有第一储锡槽、第一汇流槽、第二储锡槽、第二汇流槽、芯粒放置区和铝带键合区,所述第一储锡槽设置在基板的一端,所述第一汇流槽设置在第一储锡槽的右侧,所述第二汇流槽设置在第一汇流槽的右侧,所述第二储锡槽设置在第二汇流槽的右侧,所述芯粒放置区位与铝带键合区之间开设有隔离槽,所述隔离槽延伸至第一汇流槽和第二汇流槽之间,所述芯粒放置区上设置有两块芯粒,每个所述芯粒通过一根铝带与铝带键合区电性连接。本实用新型提供一种低热阻光伏旁路二极管,可以减小自身发热功率,降低热损耗。
技术领域
本实用新型涉及一种低热阻光伏旁路二极管。
背景技术
目前,太阳能因为其安全、干净、环保而越来越受到人们的青睐。太阳能光伏产业成为全球竞相追逐的朝阳产业,在中国,越来越多的企业加入到这个“逐日产业”当中来,中国已经成为全球第三大光伏制造基地,仅次于日本、德国。同时,也促进了太阳能相关零部件的产业发展,如太阳能光伏接线盒、光伏链接器、光伏控制器、逆变器、蓄电池等等。
旁路二极管主要用于光伏发现中太阳能电池阵列的旁路开关,当太阳出现阴影或其它异常导致光伏电池元胞出现热点是,电流就会经旁路二极管流过而不会阻断。与传统PN结构和肖特基型旁路二极管相比,新智能旁路二极管具有更低正向导通压降、更小的反省漏电流,更低的功耗、更长的寿命以及更稳定的特性,因而迅速成为行业研究热点。旁路二极管已经从最开始的普通PN结二极管发展到现在普遍使用的大电流肖特基太阳能光伏二极管,普通的二极管反向耐压大,漏电小,但是其正向导通压降大,开关评率低。而旁路二极管与普通二极管恰恰相反,它具有开关平率高、正常导通压降低、但是反向耐压低,漏电小,有具有平率高,导通压降下压的旁路二极管的使用是必然趋势,且需求量越来越大已经成为各家半导体的主题。
但是,现有的旁路二极管发热功率大,如果想提升散热效果,势必要增大产品体积。受制于对产品体积的限制,导致目前的旁路二极管散热效果差,热阻高,影响产品使用。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是,克服现有技术的不足,提供一种低热阻光伏旁路二极管,可以减小自身发热功率,降低热损耗。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:
一种低热阻光伏旁路二极管,它包括基板,所述基板上设置有第一储锡槽、第一汇流槽、第二储锡槽、第二汇流槽、芯粒放置区和铝带键合区,所述第一储锡槽设置在基板的一端,所述第一汇流槽设置在第一储锡槽的右侧,所述第二汇流槽设置在第一汇流槽的右侧,所述第二储锡槽设置在第二汇流槽的右侧,所述芯粒放置区位与铝带键合区之间开设有隔离槽,所述隔离槽延伸至第一汇流槽和第二汇流槽之间,所述芯粒放置区上设置有两块芯粒,每个所述芯粒通过一根铝带与铝带键合区电性连接。
进一步,所述基板的侧边设置有向上翻折的包边。
进一步,所述第一储锡槽和第二储锡槽为不镂空的凹槽,所述第一储锡槽和第二储锡槽用于存放锡块。
进一步,所述第一汇流槽和第二汇流槽为镂空槽,所述第一汇流槽和第二汇流槽用于汇流带从中穿过。
进一步,所述隔离槽为L形的镂空槽。
进一步,所述基板的一端端部设置有U型槽(13),所述U型槽(13)用于卡住线缆的外围。
进一步,所述基板的两端分别设置有若干定位孔。
进一步,还包括塑封外壳,所述塑封外壳包覆在芯粒放置区、芯粒、铝带以及铝带键合区的外周。
采用了上述技术方案,本实用新型具内部采用两个芯粒的并联式结构,更有利于二极管散热,可以进一步减小发热功率,降低能耗。在基板的外周尽可能多的设置散热包边,在不增加空间大小的情况下,增加接触面积,进一步加强散热性能。并且可以通过TUV测试,浪涌可达600以上。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的