[实用新型]一种导电桥结构及半导体封装结构有效
| 申请号： | 202223467792.2 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN219329256U | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄福江;邱松 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 结构 半导体 封装 | ||
1.一种导电桥结构，其特征在于，包括：
芯片连接部，所述芯片连接部中设有至少一连接通孔；
引线框架连接部；
第一凸起部，包括第一倾斜板、中间平板及第二倾斜板，所述第一倾斜板的底端与所述芯片连接部的一侧边缘连接，所述中间平板连接于所述第一倾斜板的顶端与所述第二倾斜板的顶端之间，所述第二倾斜板的底端与所述引线框架连接部的一侧边缘连接；
第二凸起部，包括第三倾斜板，所述第三倾斜板的底端与所述芯片连接部的另一侧边缘连接，所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角等于所述第一倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角。
2.根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述第三倾斜板的顶端与所述第一倾斜板的顶端齐平。
3.根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角范围是110°-130°。
4.根据权利要求3所述的导电桥结构，其特征在于：所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角范围是115°-125°。
5.根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述第二凸起部还包括水平延伸部，所述水平延伸部与所述第三倾斜板的顶端连接并往远离所述芯片连接部的方向水平延伸。
6.根据权利要求5所述的导电桥结构，其特征在于：所述水平延伸部的延伸宽度不小于所述水平延伸部的厚度。
7.一种根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述芯片框架连接部的底面高于所述芯片连接部的底面。
8.一种根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述芯片连接部中还设有至少一形变孔。
9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
在水平方向上间隔设置的第一引线框架部与第二引线框架部；
芯片，位于所述第一引线框架部上，所述芯片的底面与所述第一引线框架部的顶面之间通过芯片下焊料层连接，所述芯片的上表面设有至少一第一电极层；
如权利要求1-8任意一项所述的导电桥结构，位于所述芯片上，所述导电桥结构的所述芯片连接部通过所述连接通孔及芯片上焊料层与所述第一电极层连接，所述导电桥结构的引线框架连接部通过引脚上焊料层与所述第二引线框架部连接；
塑封层，位于所述第一引线框架部与所述第二引线框架部上并覆盖所述芯片及所述导电桥结构。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于：所述芯片的上表面还设有第二电极层，所述第二电极层通过导电连接片与所述第二引线框架部连接。
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