[实用新型]同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源

说明书

本实用新型公开了同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源，涉及电子电路技术领域。包括导通控制电路、关断控制电路、驱动电路和DRV调整电路。导通控制电路用于发出导通信号；关断控制电路用于发出关断信号；驱动电路用于根据导通信号导通MOSFET或者根据关断信号关断MOSFET；DRV调整电路用于降低MOSFET关断前的栅极驱动电压；DRV调整电路包括第一控制电路、第二控制电路、下拉电流源电路和N个放电电路，N不小于2；任一放电电路导通都能够进行放电，以降低DRV电压值。本实用新型减少了DRV从高电平降低到Vsubgt;REG/subgt;的时间，防止DRV过度降低，加快了MOSFET的关断速度，提高了稳定性。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别是涉及同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源。

背景技术

开关电源通常使用同步整流控制电路驱动金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，金氧半场效晶体管)来完成整流功能。MOSFET导通期间内，同步整流控制电路采样MOSFET的源-漏两端电压(VDS)，当VDS高于MOSFET关断阈值后，MOSFET将在关断延时(td2)后关闭。

在MOSFET开始导通至VDS达到MOSFET关断阈值(VTH_OFF)之前，同步整流控制电路需要在较短时间内将栅极驱动电压(DRV)调整至所需目标值(V_REG)。通过降低DRV的方式可把MOSFET的栅极电压从高电平电压逐渐降低，以便MOSFET随时从较低的电压进入关断状态。在通过MOSFET的电压相当低的时候，上述VDS被调整在一定范围内，这样就加快了MOSFET的关断速度。

一些场景下，同步整流控制电路会外接电源VCC。MOSFET开始导通DRV的大小一般决定于VCC的大小。一种典型应用场合下，供电电源VCC为5V，DRV电压(栅极驱动电压)调整电路工作时，需要把DRV电压(栅极驱动电压)在较短时间内从电源电压VCC(在上述典型应用场景下为5V)调整至所需目标值V_REG，以便后续MOSFET随时从较低的电压进入关断状态。

在一些其他应用场合下电源电压VCC被抬高到更高的电压水平，即电源电压VCC高于5伏。这样，在DRV电压(栅极驱动电压)调整电路对DRV电压(栅极驱动电压)进行调整时，需要从更高的电压拉低到所需目标值V_REG,从而调整时间变长；同时，传统同步整流控制电路中仅设计一个常通放电电路放电，为提高下拉速度，需考虑使用大的下拉电流，然而，若使用大的下拉电流又容易把DRV过度下拉。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的是提供同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源，以减少DRV从高电平降低到V_REG的时间，并且防止DRV过度降低，从而既加快了MOSFET的关断速度，又提高了稳定性。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供了如下方案：

一种同步整流控制电路，包括：

导通控制电路，用于发出导通信号；

关断控制电路，用于发出关断信号；

驱动电路，分别与所述导通控制电路、所述关断控制电路和MOSFET连接，用于根据所述导通信号导通所述MOSFET或者根据所述关断信号关断所述MOSFET；

栅极驱动电压DRV调整电路，与所述MOSFET连接，用于降低所述MOSFET关断前的栅极驱动电压；所述DRV调整电路包括第一控制电路、第二控制电路，以及，N个放电电路，N不小于2；

在DRV高于参考电压时，所述第一控制电路处于导通状态，以降低DRV的电压值；在DRV小于等于所述参考电压时或所述MOSFET的漏极电压大于等于第二阈值电压，所述第一控制电路处于断开状态；