[实用新型]一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关

权利要求书

1.一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于，包括：盒体(1)、射频板(2)、控制板(3)、对外射频接口(4)和射频输入接口(5)；

所述射频板(2)和所述控制板(3)均配置于所述盒体(1)内部，所述射频板(2)分别与所述控制板(3)、所述对外射频接口(4)和所述射频输入接口(5)通信连接，所述对外射频接口(4)分布于所述所述盒体(1)外部上方，所述射频输入接口(5)配置于所述盒体(1)外部正下方。

2.根据权利要求1所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述单刀多掷吸收式开关为工作频段在2-18GHz的单刀五掷吸收式开关。

3.根据权利要求2所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述射频板(2)包括5个输出支路，每个输出支路均对应一个对外射频接口(4)。

4.根据权利要求3所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述单刀多掷吸收式开关在电路设计上采取串并联电路。

5.根据权利要求4所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述单刀多掷吸收式开关的电路设计中，包括电容C1，所述电容C1的一端作为单刀多掷吸收式开关的输入端IN端与所述射频输入接口(5)相连，电容C1的另一端分别与电感L1的一端、二极管VD1的阳极、二极管VD6的阳极、二极管VD11的阳极、二极管VD16的阳极和二极管VD21的阳极连接，所述电感L1的另一端分别与接地电容C2和接地电阻R1连接，所述二极管VD1的阴极分别与二极管VD2的阳极、二极管VD3的阳极、二极管VD4的阳极、二极管VD5的阳极和电阻R2的一端连接，所述二极管VD2的阴极、二极管VD3阴极和二极管VD4的阴极均接地，所述二极管VD5的阴极分别与电阻R2的另一端、电感L3的一端和电容C4的一端连接，所述电感L3的另一端分别与接地电容C3和电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端分别与接地电容C2和驱动电压V1连接，所述电容C4的另一端作为单刀多掷吸收式开关的第一输出支路的输出口out1连接一个对外射频接口(4)；所述二极管VD6的阴极分别与二极管VD7的阳极、二极管VD8的阳极、二极管VD9的阳极、二极管VD10的阳极和电阻R3的一端连接，所述二极管VD7的阴极、二极管VD8阴极和二极管VD9的阴极均接地，所述二极管VD10的阴极分别与电阻R3的另一端、电感L5的一端和电容C7的一端连接，所述电感L5的另一端分别与接地电容C6和电感L4的一端连接，所述电感L4的另一端分别与接地电容C5和驱动电压V2连接，所述电容C7的另一端作为单刀多掷吸收式开关的第二输出支路的输出口out2连接一个对外射频接口(4)；所述二极管VD11的阴极分别与二极管VD12的阳极、二极管VD13的阳极、二极管VD14的阳极、二极管VD15的阳极和电阻R4的一端连接，所述二极管VD12的阴极、二极管VD13阴极和二极管VD14的阴极均接地，所述二极管VD15的阴极分别与电阻R4的另一端、电感L7的一端和电容C10的一端连接，所述电感L7的另一端分别与接地电容C9和电感L6的一端连接，所述电感L6的另一端分别与接地电容C8和驱动电压V3连接，所述电容C10的另一端作为单刀多掷吸收式开关的第三输出支路的输出口out3连接一个对外射频接口(4)；所述二极管VD16的阴极分别与二极管VD17的阳极、二极管VD18的阳极、二极管VD19的阳极、二极管VD20的阳极和电阻R5的一端连接，所述二极管VD17的阴极、二极管VD18阴极和二极管VD19的阴极均接地，所述二极管VD20的阴极分别与电阻R5的另一端、电感L9的一端和电容C13的一端连接，所述电感L9的另一端分别与接地电容C12和电感L8的一端连接，所述电感L8的另一端分别与接地电容C11和驱动电压V4连接，所述电容C13的另一端作为单刀多掷吸收式开关的第四输出支路的输出口out4连接一个对外射频接口(4)；所述二极管VD21的阴极分别与二极管VD22的阳极、二极管VD23的阳极、二极管VD24的阳极、二极管VD25的阳极和电阻R6的一端连接，二极管VD22的阴极、二极管VD23阴极和二极管VD24的阴极均接地，所述二极管VD25的阴极分别与电阻R6的另一端、电感L11的一端和电容C16的一端连接，所述电感L11的另一端分别与接地电容C15和电感L10的一端连接，所述电感L10的另一端分别与接地电容C14和驱动电压V5连接，所述电容C16的另一端作为单刀多掷吸收式开关的第五输出支路的输出口out5连接一个对外射频接口(4)。

6.根据权利要求5所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述单刀多掷吸收式开关采用圆形结构设计，每个输出支路线长度一致。