[实用新型]隔环限幅低噪放组件

权利要求书

1.隔环限幅低噪放组件，其特征在于：它包括环形器、隔离器、限幅器、低噪声放大器和反向隔离器；射频信号输入到所述环形器，环形器的输出端连接所述隔离器的输入端，隔离器的输出端连接所述限幅器的输入端，限幅器的输出端连接低噪声放大器的输入端，低噪声放大器的输出端连接所述反向隔离器，反向隔离器输出射频信号。

2.根据权利要求1所述的隔环限幅低噪放组件，其特征在于：所述限幅器包括5个PIN二极管级联组成，5个PIN二极管的正极相互并联，负极接地；在第一级PIN二极管D1和第二级PIN二极管D2之间串联有一电容，以及并联有一电感，所述电感的一端连接在第一级PIN二极管D1和第二级PIN二极管D2之间，另一端连接一电容后接地，电感的另一端还连接一PIN二极管的负极，该PIN二极管的正极接地。

3.根据权利要求1所述的隔环限幅低噪放组件，其特征在于：所述低噪声放大器包括自偏置负反馈电路、噪声匹配电路、功率匹配电路和供电电路；所述噪声匹配电路与所述自偏置负反馈电路的输入端连接，所述功率匹配电路与所述自偏置负反馈电路的输出端连接，所述供电电路分别与所述噪声匹配电路的输入端和所述功率匹配电路的输出端连接。

4.根据权利要求3所述的隔环限幅低噪放组件，其特征在于：所述自偏置负反馈电路包括第一级电路和第二级电路，所述第一级电路为自偏置电路，所述第二级电路为分压式偏置电路；所述噪声匹配电路的输出端与所述自偏置电路的输入端连接，所述偏置电路与所述分压式偏置电路并联，所述分压式偏置电路的输出端与所述功率匹配电路的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的隔环限幅低噪放组件，其特征在于：所述自偏置电路包括由晶体管M₁、电阻R₁、电阻R_F和电阻R_L1构成；所述噪声匹配电路的输出端与所述晶体管M₁的基极连接，晶体管M₁的发射极接地；所述电阻R₁和电阻R_F串联，串联后的电阻R_F与晶体管M₁的集电极连接，电阻R₁接地；所述电阻R_L1的一端与所述晶体管M₁的集电极连接，另一端与所述分压式偏置电路连接。

6.根据权利要求5所述的隔环限幅低噪放组件，其特征在于：所述分压式偏置电路包括由晶体管M₂、电阻R_E、电容C_E和电阻R_L2构成；所述晶体管M₂的基极与所述晶体管M₁的集电极连接，所述电阻R_E和电容C_E并联，并联后的一端与所述晶体管M₂的发射极连接，另一端接地；所述电阻R_L2的一端与所述晶体管M₂的集电极连接，另一端与所述电阻R_L1连接；所述晶体管M₂的集电极连接所述功率匹配电路的输入端。

7.根据权利要求6所述的隔环限幅低噪放组件，其特征在于：所述自偏置负反馈电还包括一感性负载电感L₁，所述感性负载电感L₁与所述电阻R_L2连接，用于抵消寄生电容对阻抗的影响，从而改善电路的匹配。