[实用新型]一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构有效
| 申请号： | 202223571854.4 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN219267406U | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 周保平;刘博文;李鑫;林云;周维娜 | 申请（专利权）人： | 包头市英思特稀磁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 刘迪 |
| 地址： | 014000 内蒙古自治区包头市包头稀土高新*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 halbach 组件 提升 表面 密度 排列 结构 | ||
1.一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，包括沿直线依次排列的第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组，其中：
所述第一磁体的充磁方向为水平向左；
所述第一磁组包括充磁方向向下倾斜设置的第一左单磁体和第一右单磁体，所述第一左单磁体的充磁方向和所述第一右单磁体的充磁方向轴对称；
所述第二磁体的充磁方向为水平向右；
所述第二磁组包括充磁方向向上倾斜设置的第二左单磁体和第二右单磁体，所述第二左单磁体的充磁方向和所述第二右单磁体的充磁方向轴对称。
2.根据权利要求1所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一磁体的长宽高尺寸、所述第一磁组的长宽高尺寸、所述第二磁体的长宽高尺寸和所述第二磁组的长宽高尺寸相同。
3.根据权利要求2所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一左单磁体的长宽高尺寸和所述第一右单磁体的长宽高尺寸相同。
4.根据权利要求2所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第二左单磁体的长宽高尺寸和所述第二右单磁体的长宽高尺寸相同。
5.根据权利要求1所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一左单磁体的充磁方向向左下方倾斜设置；
所述第一左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为锐角。
6.根据权利要求5所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为20°。
7.根据权利要求1所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第二左单磁体的充磁方向向右上方倾斜设置；
所述第二左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为锐角。
8.根据权利要求7所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第二左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为20°。
9.根据权利要求1所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一磁体、所述第一左单磁体、所述第一右单磁体、所述第二磁体、所述第二左单磁体和所述第二右单磁体均为钕铁硼磁体。
10.根据权利要求1所述的Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一磁体、所述第一左单磁体、所述第一右单磁体、所述第二磁体、所述第二左单磁体和所述第二右单磁体的牌号相同。
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