[发明专利]通电检查装置、半导体装置的制造方法以及通电方法

权利要求书

1.一种通电检查装置，其特征在于，具备：

冷却板；

绝缘板，其设置在所述冷却板上；

第一电极，其设置在所述绝缘板上；以及

第二电极和第三电极，其设置在所述第一电极的上方，并且位于离开了所述第一电极的位置，

所述绝缘板具有可变热阻机构，

能够将半导体装置设置在所述第一电极与所述第二电极之间、以及所述第一电极与所述第三电极之间。

2.根据权利要求1所述的通电检查装置，其特征在于，

所述通电检查装置还具备压力容器，该压力容器设置在所述第一电极上，并且能够将其内部的压力变更为与其外部的压力不同的压力，

所述第二电极和所述第三电极安装在所述压力容器，

在所述第一电极与所述第二电极之间、以及所述第一电极与所述第三电极之间设置所述半导体装置的情况下，所述半导体装置收纳在所述压力容器的内部。

3.根据权利要求2所述的通电检查装置，其特征在于，

所述压力容器由绝缘体构成。

4.一种使用了通电检查装置的半导体装置的制造方法，

所述该通电检查装置具备：

冷却板；

绝缘板，其设置在所述冷却板上，且具有可变热阻机构；

第一电极，其设置在所述绝缘板上；以及

第二电极和第三电极，其设置在所述第一电极的上方，并且位于离开了所述第一电极的位置，

其特征在于，

所述制造方法具备如下工序：

a准备包含漏电极、源电极以及栅极焊盘电极的半导体装置；

b在所述a的工序后，在所述第一电极与所述第二电极之间以及所述第一电极与所述第三电极之间设置所述半导体装置，使所述第一电极与所述漏电极电连接，使所述第二电极与所述源电极电连接，使所述第三电极与所述栅极焊盘电极电连接；

c在所述b的工序后，在对所述半导体装置的内置二极管通入了所述半导体装置的最大额定正向电流时，调整所述可变热阻机构的电阻值，使得成为所述半导体装置的最大额定接合温度；

d在所述c的工序后，测定所述半导体装置的第一导通电压；

e在所述c的工序后，在使所述源电极和所述栅极焊盘电极电短路的状态下，或者，在相对于所述源电极对所述栅极焊盘电极施加了负偏压的状态下，测定在所述源电极与所述漏电极之间施加了规定的电压时的第一漏电流；

f在所述d的工序以及所述e的工序后，对所述内置二极管通入正向电流；

g在所述f的工序后，测定所述半导体装置的第二导通电压；

h在所述g的工序后，计算所述第二导通电压与所述第一导通电压的变化值，在该变化值小于规定值的情况下，将所述半导体装置分选为合格品；

i在所述h的工序后，对于被分选为合格品的所述半导体装置，在使所述源电极以及所述栅极焊盘电极电短路的状态下，或者在相对于所述源电极对所述栅极焊盘电极施加了负偏压的状态下，测定在所述源电极与所述漏电极之间施加了规定的电压时的第二漏电流；以及

j在所述i的工序后，计算所述第二漏电流与所述第一漏电流的变化值，在该变化值小于规定值的情况下，将所述半导体装置分选为合格品，

所述a的工序包含如下工序：

a1准备具有表面以及与所述表面相反侧的背面，并且由碳化硅构成的第一导电型的半导体基板；

a2在所述半导体基板的所述表面上形成由碳化硅构成的所述第一导电型的半导体层；

a3在所述半导体层内形成与所述第一导电型相反的第二导电型的体区；

a4在所述体区内形成所述第一导电型的源极区；

a5在所述体区上形成栅极绝缘膜；

a6在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；

a7以与所述体区以及所述源极区电连接的方式在所述体区上以及所述源极区上形成所述源电极，以与所述栅电极电连接的方式在所述栅电极上形成所述栅极焊盘电极；以及

a8在所述半导体基板的所述背面上形成所述漏电极，

所述内置二极管由所述体区和所述半导体层构成。