[发明专利]蓄电器件用预掺杂剂及其制造方法在审
| 申请号： | 202280008202.3 | 申请日： | 2022-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116583966A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 渡边桂一;柿本裕太;三刀俊祐 | 申请（专利权）人： | 帝化株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志强;杨思捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 掺杂 及其 制造 方法 | ||
1.蓄电器件用预掺杂剂，其特征在于，包含以下述式(1)表示的锂铁氧化物，在X射线衍射测定中，衍射角(2θ)为23.6±0.5°的衍射峰的半高峰宽为0.06～0.17°，并且衍射角(2θ)为44.6±0.5°的衍射峰强度(I44.6)与衍射角(2θ)为23.6±0.5°的衍射峰强度(I23.6)的强度比(I44.6/I23.6)低于8％，
LixFeOy(1)
在式(1)中，x满足3.5≤x≤7.0，y满足3.1≤y≤5.0。
2.蓄电器件用预掺杂剂，其特征在于，包含以下述式(1)表示的锂铁氧化物，在X射线衍射测定中，衍射角(2θ)为23.6±0.5°的衍射峰的半高峰宽为0.06～0.17°，并且在向所述预掺杂剂中添加5重量％的内标物质Si粉末时的衍射角(2θ)为44.6±0.5°的衍射峰强度(I44.6)与衍射角(2θ)为28.5±0.5°的衍射峰强度(I28.5)的强度比(I44.6/I28.5)低于20％，
LixFeOy(1)
在式(1)中，x满足3.5≤x≤7.0，y满足3.1≤y≤5.0。
3.权利要求1或2所述的蓄电器件用预掺杂剂，其中，向18.0g的在碳酸亚乙酯(EC)与碳酸二乙酯(DEC)的容量比(EC:DEC)为1:1的混合溶剂中溶解LiPF6使其达到1mol/L而得的电解液中添加2.0g的所述预掺杂剂，并在50℃的恒温槽中保存1周时，铁离子溶出率以添加前的所述预掺杂剂的重量基准计为0.01～0.10wt％。
4.权利要求1～3中任一项所述的预掺杂剂，其中，比表面积为0.05～2.2m2/g。
5.权利要求1～4中任一项所述的预掺杂剂，其中，使用选自有机硅化合物、脂肪酸、碳酸锂和碳质材料的至少1种被覆材料进行被覆。
6.蓄电器件用正极，其中，含有权利要求1～5中任一项所述的预掺杂剂和正极活性物质。
7.权利要求6所述的正极，其中，所述预掺杂剂的含量相对于所述预掺杂剂与所述正极活性物质的合计重量为1～60重量％。
8.蓄电器件，其中，以权利要求6或7所述的正极作为构成要素。
9.权利要求1～5中任一项所述的蓄电器件用预掺杂剂的制造方法，其中，所述蓄电器件用预掺杂剂包含通过将铁原料和锂原料混合并煅烧而得到的锂铁氧化物，将所述铁原料和所述锂原料混合，在氧浓度为1～52000ppm的惰性气体气氛中在650～1050℃下煅烧2～100小时，将所得的粉末状产物粉碎而得到锂铁氧化物。
10.权利要求9所述的蓄电器件用预掺杂剂的制造方法，其中，在所述铁原料和所述锂原料中进一步混合碳原料。
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