[发明专利]一种SIP封装模块及其封装方法

权利要求书

1.一种SIP封装模块，所述SIP封装模块用于电机驱动，其特征在于：

包括MCU基岛（1）以及多组通过连筋连接的MOSFET基岛；

所述MCU基岛（1）与所述MOSFET基岛之间隔离，所述MCU基岛（1）上设置有MCU晶片（1A），所述MCU基岛（1）周围设置有多个第一引脚，所述MCU晶片（1A）上表面设置有多个第一PAD；

所述MOSFET基岛上均设置有MOSFET晶片，所述MOSFET基岛周围均设置有多个第二引脚，所述MOSFET晶片上表面均设置有第二PAD和第三PAD；

所述第一PAD与所述第一引脚之间、所述第一PAD与所述第二PAD之间、所述第三PAD与所述第二引脚之间均通过引线连接。

2.根据权利要求1所述的SIP封装模块，其特征在于：

所述MOSFET晶片包括数量相等的P型MOSFET晶片和N型MOSFET晶片，每组所述MOSFET基岛包括至少一个所述P型MOSFET晶片和所述N型MOSFET晶片。

3.根据权利要求1所述的SIP封装模块，其特征在于：

所述MCU基岛（1）和所述MOSFET基岛上均设置有粘接层，所述粘接层用于所述MCU晶片（1A）和所述MOSFET晶片的固定及导热导电。

4.根据权利要求2所述的SIP封装模块，其特征在于：

所述第一引脚包括控制采样信号输入输出脚，所述第二引脚包括功率电压电流输入输出脚，所述第一引脚均与所述MCU基岛（1）之间隔离，所述第二引脚均与所述MOSFET基岛隔离。

5.根据权利要求4所述的SIP封装模块，其特征在于：

所述P型MOSFET晶片和所述N型MOSFET晶片的数量均为3个，所述MOSFET基岛的数量为3组，所述P型MOSFET晶片和所述N型MOSFET晶片为三相全桥驱动结构，所述P型MOSFET晶片为三个上桥晶圆，所述N型MOSFET晶片为三个下桥驱动晶片。

6.根据权利要求5所述的SIP封装模块，其特征在于：

所述采样信号输入输出脚包括第一采样信号输入输出脚（8A）、第二采样信号输入输出脚（8B）；

所述功率电压电流输入输出脚包括第一功率电压电流输入输出脚（7A）、第二功率电压电流输入输出脚（7B）、第三功率电压电流输入输出脚（7C）、第四功率电压电流输入输出脚（7D）、第五功率电压电流输入输出脚（7E）。

7.根据权利要求1-6任一所述的SIP封装模块，其特征在于：

所述MOSFET基岛均连接有第三引脚，所述第三引脚用于相线输出以及支撑所述MOSFET基岛。

8.根据权利要求7所述的SIP封装模块，其特征在于：

所述引线选用镀钯铜线、金线或者铜线；

所述SIP封装模块采用QFN封装工艺，其封装尺寸为10mm*10mm*0.8mm。

9.一种SIP模块的封装方法，其特征在于，用于实现权利要求1-8任意一种所述的SIP封装模块的封装，包括：

采用粘接材料将MCU晶片（1A）粘接在SIP模块的MCU基岛（1）上，将MOSFET晶片分别粘接在SIP模块的MOSFET基岛上；

待所述粘接材料固化后，将所述MCU晶片（1A）表面的第一PAD分别与所述MOSFET晶片表面的第二PAD进行引线；

将所述第一PAD与预设在所述MCU基岛（1）周围的第一引脚之间进行引线，将所述MOSFET晶片表面的第三PAD分别与预设在所述MOSFET基岛周围的第二引脚进行引线。

10.根据权利要求9所述的SIP模块的封装方法，其特征在于：

所述粘接材料选用粘片胶、银浆或软焊料；

所述引线采用烧球方式焊接方式，所述引线选用镀钯铜线、金线或者铜线。