[发明专利]一种薄膜加工方法、装置和系统

说明书

本申请公开了一种薄膜加工方法、装置和系统。其中，薄膜加工方法：提供薄膜加工装置，所述薄膜加工装置包括低压退火腔室、照射装置、承载面；所述照射装置包括设置于所述低压退火腔室的顶部的紫外线灯泡和加热灯泡；所述承载面设置于所述低压退火腔室的底部；在所述低压退火腔室内的所述承载面上放置待加工晶圆，通过所述照射装置对所述待加工晶圆进行薄膜加工工艺；所述薄膜加工工艺包括固化和原位退火。该方法，能够减少薄膜加工的制程耗时，提升晶圆的薄膜加工的效率。

技术领域

本公开涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种薄膜加工方法、装置和系统。

背景技术

目前，在半导体制造行业中，薄膜是芯片的重要组成部分，而FCVD(Flow-ablechemical Vapor Deposition，流体化学气相沉积法)在薄膜工艺中占有较大的比例。FCVD工艺的填洞能力较佳，有利于得到高质量的薄膜。

相关技术中，FCVD工艺对晶圆进行表面沉积的过程中，在填洞之后，需要固化，后续制程还需要经过炉管退火，转化成二氧化硅。上述过程中，工艺耗时较长，晶圆的薄膜加工的效率较低。

发明内容

本公开实施例提供一种薄膜加工方法、装置和系统，让固化和退火在同一腔室进行，可以提高晶圆的薄膜加工的效率。

第一方面，本公开提供一种薄膜加工方法，包括：

提供薄膜加工装置，所述薄膜加工装置包括低压退火腔室、照射装置、承载面；所述照射装置包括设置于所述低压退火腔室的顶部的紫外线灯泡和加热灯泡；所述承载面设置于所述低压退火腔室的底部；

在所述低压退火腔室内的所述承载面上放置待加工晶圆，通过所述照射装置对所述待加工晶圆进行薄膜加工工艺；所述薄膜加工工艺包括固化和原位退火。

该实施例提供的薄膜加工方法，包括：提供薄膜加工装置，所述薄膜加工装置包括低压退火腔室、照射装置、承载面；所述照射装置包括设置于所述低压退火腔室的顶部的紫外线灯泡和加热灯泡；所述承载面设置于所述低压退火腔室的底部；在所述低压退火腔室内的所述承载面上放置待加工晶圆，通过所述照射装置对所述待加工晶圆进行薄膜加工工艺；所述薄膜加工工艺包括固化和原位退火。该方法，固化和退火均在低压退火腔室进行，能够减少薄膜加工的制程耗时，提升晶圆的薄膜加工的效率。

在一种可选的实施方式中，所述薄膜加工装置还包括进气管，在进行所述薄膜加工工艺时，通过所述进气管向所述低压退火腔室内通入保护气体；所述保护气体为氮气；所述进气管设置于所述低压退火腔室的侧壁。

上述薄膜加工方法，所述薄膜加工装置还包括进气管，在进行所述薄膜加工工艺时，通过所述进气管向所述低压退火腔室内通入保护气体；所述保护气体为氮气；所述进气管设置于所述低压退火腔室的侧壁。该薄膜加工方法，在对晶圆执行退火制程时增加氮气，可以防止杂质离子渗入，能够在提升晶圆的薄膜加工的效率的同时，还提升晶圆的薄膜加工的良率。

在一种可选的实施方式中，所述薄膜加工装置还包括设置于所述低压退火腔室的顶面的旋转装置；所述照射装置以与所述旋转装置固定连接的方式设置于所述低压退火腔室的顶部。

上述薄膜加工方法，所述薄膜加工装置还包括设置于所述低压退火腔室的顶面的旋转装置；所述照射装置以与所述旋转装置固定连接的方式设置于所述低压退火腔室的顶部。该方法，通过在低压退火腔室的顶面加装旋转装置，并使旋转装置与照射装置固定连接，可以使低压退火腔室内的照射更均匀，提升成膜均匀度，能够在提升晶圆的薄膜加工的效率的同时，还提升晶圆的薄膜加工的良率。

在一种可选的实施方式中，通过所述照射装置对所述待加工晶圆进行薄膜加工工艺时，所述待加工晶圆在所述低压退火腔室内围绕所述待加工晶圆的中轴线进行电磁式悬浮旋转。

在一种可选的实施方式中，所述加热灯泡具有环状结构。