[发明专利]一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法

权利要求书

1.一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法，其特征在于：包括步骤：

获取晶体管工艺类型；

基于所述晶体管工艺类型建立晶体管初始模型，所述晶体管初始模型包括多个端口；

对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压输入信号，并提取所述晶体管初始模型的各个端口的直流电流输出信号；

通过预设的人工神经网络对所述直流电压输入信号、所述直流电流输出信号进行拟合，得到晶体管直流模型。

2.根据权利要求1所述的一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法，其特征在于：在所述晶体管模型包括栅端、漏端时，所述晶体管模型建立方法还包括：

对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压信号，并在所述晶体管初始模型的漏端施加交流电压信号；

对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压信号，并在所述晶体管初始模型的漏端施加交流电压信号之后，从所述晶体管初始模型的栅端提取电流信号；

根据所述直流电压信号、所述电流信号绘制电流-频率波特图，所述电流-频率波特图的横坐标为频率，所述电流-频率波特图的纵坐标为电流；

从所述电流-频率波特图中提取目标点，并根据所述目标点的电流、所述目标点的频率计算晶体管栅漏电容值C_gd，所述晶体管栅漏电容值C_gd的计算公式为：

V_ac＝I_ac×1/(2×π×f×C_gd)

式中，V_ac为交流电压信号，Iac为所述目标点的电流信号，f为目标点的频率；

基于所述晶体管栅漏电容值C_gd建立晶体管栅漏电容模型，所述晶体管栅漏电容模型的输入信号为直流电压信号，所述晶体管栅漏电容模型的输出信号为所述晶体管栅漏电容值C_gd。

3.根据权利要求1所述的一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法，其特征在于：在所述晶体管模型包括栅端、源端时，所述晶体管模型建立方法还包括：

对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压信号，并在所述晶体管初始模型的源端施加交流电压信号；

对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压信号，并在所述晶体管初始模型的源端施加交流电压信号之后，从所述晶体管初始模型的栅端提取电流信号；

根据所述直流电压信号、所述电流信号绘制电流-频率波特图，所述电流-频率波特图的横坐标为频率，所述电流-频率波特图的纵坐标为电流；

从所述电流-频率波特图中提取目标点，并根据所述目标点的电流、所述目标点的频率计算晶体管栅源电容值C_gs，所述晶体管栅源电容值C_gs的计算公式为：

V_ac＝I_ac×1/(2×π×f×C_gs)

式中，V_ac为交流电压信号，Iac为所述目标点的电流信号，f为目标点的频率；

基于所述晶体管栅源电容值C_gd建立晶体管栅源电容模型，所述晶体管栅源电容模型的输入信号为直流电压信号，所述晶体管栅源电容模型的输出信号为所述晶体管栅源电容值C_gd。

4.根据权利要求1所述的一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法，其特征在于：在所述晶体管模型包括栅端、体端时，所述晶体管模型建立方法还包括：

对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压信号，并在所述晶体管初始模型的体端施加交流电压信号；

对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压信号，并在所述晶体管初始模型的体端施加交流电压信号之后，从所述晶体管初始模型的栅端提取电流信号；

根据所述直流电压信号、所述电流信号绘制电流-频率波特图，所述电流-频率波特图的横坐标为频率，所述电流-频率波特图的纵坐标为电流；

从所述电流-频率波特图中提取目标点，并根据所述目标点的电流、所述目标点的频率计算晶体管栅体电容值C_gs，所述晶体管栅体电容值C_gs的计算公式为：

V_ac＝I_ac×1/(2×π×f×C_gs)

式中，V_ac为交流电压信号，Iac为所述目标点的电流信号，f为目标点的频率；

基于所述晶体管栅体电容值C_gd建立晶体管栅体电容模型，所述晶体管栅体电容模型的输入信号为直流电压信号，所述晶体管栅体电容模型的输出信号为所述晶体管栅体电容值C_gd。