[发明专利]一种芯片行业废磷酸资源化生产磷酸二氢铵及副产物工艺在审

专利信息
申请号: 202310005765.3 申请日: 2023-01-04
公开(公告)号: CN115974020A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 钟景;李艳玲;徐林燕;陈政;杨东奎;曾世强;马士龙;姜燕 申请(专利权)人: 瀚蓝工业服务(嘉兴)有限公司;瀚蓝环境股份有限公司
主分类号: C01B25/28 分类号: C01B25/28;C01D9/04;C07C51/41;C07C51/42;C07C53/10;C01D9/16
代理公司: 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 代理人: 刘羽波
地址: 314200 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 行业 磷酸 资源 化生 二氢铵 副产物 工艺
【权利要求书】:

1.一种芯片行业废磷酸资源化生产磷酸二氢铵及副产物工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1步骤,将从芯片行业收集到的废磷酸加至过滤器进行固液分离粗过滤,得到滤液与固渣;

S2步骤,将所述滤液加至脱色罐进行脱色,脱色剂为活性炭;

S3步骤,将脱色后的所述滤液进行蒸馏分离,蒸馏温度为80-180℃,压力为0.1-0.8bar,蒸馏时间为1.5-5小时,分离出磷酸与乙硝混酸;

S41步骤,将所述乙硝混酸加入氢氧化钠调整至pH为2.0-3.0,充分反应;

S42步骤,将步骤S41所得的混合液进行蒸发分离,蒸发分离温度为75-105℃,蒸发分离时间为2-6小时,分离出硝酸钠固体与乙酸溶液;

S43步骤,将步骤S42所得的乙酸溶液加入氢氧化钠调整至pH为7.5-9.0,得到乙酸钠溶液;

S51步骤,将步骤S3所得的磷酸稀释至10-30%浓度后通过纳滤膜;

S52步骤,在步骤S51所得的过膜后磷酸中以3-10ml/min缓慢加入氨水,调整pH为4.0-5.0,反应2-4小时,得到磷酸二氢铵溶液;

S53步骤,将步骤S52所得的磷酸二氢铵溶液进行蒸发浓缩,蒸发浓缩温度为75-110℃,蒸发浓缩时间为2-5小时,后通过搅拌冷却结晶。

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