[发明专利]退火去除硅缺陷的新方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，包括：

在初始温度下将半导体衬底放置在工艺室中，所述半导体衬底具有在其中形成的沟槽；

在基本无氧环境中将所述半导体衬底的温度提高到氧化物生长温度；

在提供氧化环境的同时将所述半导体衬底的所述温度保持在所述氧化物生长温度，从而在所述沟槽的侧壁上形成氧化层；

将半导体晶片的温度降低到低于所述初始温度的最终温度；以及

然后将所述衬底从所述工艺室中移除。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化物生长温度在700℃至1000℃的范围内。

3.如权利要求1所述的方法，其中提高所述温度包括将升温速率限制在5℃/min。

4.如权利要求1所述的方法，其中提高所述温度包括以从3.0℃/min到5.0℃/min的范围内的速率提高所述温度。

5.如权利要求1所述的方法，其中在提供所述氧化环境之前，在所述沟槽侧壁上形成2纳米到5纳米的氧化物。

6.如权利要求1所述的方法，其中降低所述温度包括以从-2℃/min到-3℃/min的范围内的速率斜降所述温度。

7.如权利要求1所述的方法，其中降低所述温度包括将降温速率限制在-3℃/min。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述最终温度至少比所述初始温度低约50℃/min。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述初始温度约为700℃，所述氧化物生长温度约为850℃，所述最终温度约为650℃/min。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述沟槽具有至少1微米的深度。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化层具有大约10纳米的最终厚度。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包括在将所述衬底从所述工艺室中移除之后，剥离所述氧化层。

13.如权利要求1所述的方法，还包括在将所述半导体衬底放置在所述工艺室中之前，在所述沟槽的侧壁中注入N型掺杂剂。

14.一种形成集成电路的方法，包括：

在半导体衬底中形成沟槽；

在加载温度下将所述半导体衬底放置在熔炉中；

当无氧气体流过所述熔炉时，将所述半导体衬底的温度提高到生长温度；

使氧气流过所述熔炉，同时将所述半导体衬底的所述温度保持在所述生长温度；

在低于所述加载温度的卸载温度下将所述衬底从所述工艺室中移除。

15.如权利要求14所述的方法，还包括以不超过3℃/min的速率将所述半导体衬底的所述温度从所述生长温度降低到所述卸载温度。

16.如权利要求14所述的方法，其中提高所述半导体衬底的所述温度包括以不超过5℃/min的速率提高炉温。

17.如权利要求14所述的方法，其中提高所述半导体衬底的所述温度包括提高炉温不超过150℃。

18.如权利要求14所述的方法，其中将所述半导体衬底的所述温度保持在所述生长温度包括将炉温保持在850℃达80分钟。

19.如权利要求14所述的方法，其中所述卸载温度不高于650℃。