[发明专利]籽晶酸洗的配方和方法

说明书

本发明提供了一种籽晶酸洗的配方和方法，涉及单晶生产拉制技术领域，其中，籽晶酸洗的配方，用于对籽晶进行酸洗，籽晶酸洗的配方包括：氢氟酸、硝酸和冰乙酸；氢氟酸的质量份数为7～10份，硝酸的质量份数为56～80份，冰乙酸的质量份数为21～30份。籽晶酸洗的方法，包括：超声清洗静置；酸洗；纯水清洗；常温水中静置；清除水渍擦拭；其中，酸洗所用的酸溶液，按照上述籽晶酸洗的配方制成。本申请提供的籽晶酸洗的配方和方法，使用后，得到的酸洗后的籽晶尺寸变化可控，外观光滑平整，无明显异常，提高了籽晶的利用率，改善了籽晶良率，同时酸洗时间较短，节约了生产时间，从而提高生产效率。

技术领域

本发明涉及单晶生产拉制技术领域，更具体地，涉及一种籽晶酸洗的配方和方法。

背景技术

在太阳能硅单晶制造过程中，需要将多晶硅作为原料，在单晶炉中熔化后拉制成单晶棒。硅作为一种不可再生资源，其存储量有限，在生产制造过程中，对硅料的有效利用显得尤为重要。

相关技术中，籽晶酸洗是单晶拉制前必不可少的一个流程，若籽晶不酸洗进行单晶拉制，籽晶表面就存在硅粉以及粗糙度过大，导致籽晶卡死在石墨夹头中进而引发掉棒。现有酸洗溶液的配方，籽晶酸洗后导致表面凹坑异常，出现蓝白雾，无法保证尺寸合格，严重影响籽晶产出。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种籽晶酸洗的配方和方法，用以提高籽晶利用率。

第一方面，本申请提供一种籽晶酸洗的配方，用于对籽晶进行酸洗，所述籽晶酸洗的配方包括：氢氟酸、硝酸和冰乙酸；

所述氢氟酸的质量份数为7～10份，所述硝酸的质量份数为56～80份，所述冰乙酸的质量份数为21～30份。

可选地，其中：

所述氢氟酸、所述硝酸和所述冰乙酸的溶液体积比为1:8:3。

可选地，其中：

所述氢氟酸的浓度不低于55％。

可选地，其中：

所述硝酸的浓度不低于68％。

可选地，其中：

所述冰乙酸的浓度不低于99.5％。

第二方面，本申请提供一种籽晶酸洗的方法，包括：超声清洗静置；酸洗；纯水清洗；常温水中静置；清除水渍擦拭；其中，酸洗所用的酸溶液，按照第一方面所述的任一项籽晶酸洗的配方制成。

可选地，其中：

所述超声清洗静置，具体为：将籽晶用水进行超声清洗，清洗后静置13～17min。

可选地，其中：

所述酸洗，具体为：将经过所述超声清洗后的籽晶，放入装有酸溶液的盒子中，酸洗15～20min，期间不间断翻转籽晶。

可选地，其中：

所述纯水清洗，具体为：将经过所述酸洗后的籽晶，连续两次放入不同的纯水中分别清洗20～40s。

可选地，其中：

所述常温水中静置，具体为：将经过所述纯水清洗后的籽晶放入常温水中静置13～17min。

与现有技术相比，本发明提供的一种籽晶酸洗的配方和方法，至少实现了如下的有益效果：