[发明专利]一种半导体器件的制造方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供带有p型掺杂区域的半导体外延结构；

在所述半导体外延结构上形成掩膜层，并在所述掩膜层上形成隔离层；

对所述隔离层和所述掩膜层进行光罩刻蚀，以在所述隔离层和所述掩膜层形成第一开口，露出所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域；

在残留的所述隔离层和露出的所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域上，形成欧姆金属层，其中，所述欧姆金属层的部分位于所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域之上，所述欧姆金属层的其它部分位于残留的所述隔离层之上；

执行高温回火处理，以使与所述p型掺杂区域接触的所述欧姆金属层的部分，形成欧姆金属接触层；

去除残留的所述隔离层上的所述欧姆金属层的其它部分，和残留的所述隔离层以及掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述半导体外延结构为碳化硅衬底，或者包括衬底和生长在所述衬底上的碳化硅外延层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提供带有p型掺杂区域的半导体外延结构的步骤，包括：

在碳化硅衬底或碳化硅外延层进行离子注入，进而形成所述p型掺杂区域的半导体外延结构；

其中，所述碳化硅衬底或所述碳化硅外延层包括N型的4H-SiC或者6H-SiC。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体外延结构上形成掩膜层的步骤，包括：

在所述半导体外延结构上沉积氧化硅，进而形成所述掩膜层；其中，氧化硅沉积温度为100℃-500℃，所述掩膜层的厚度为1000A-10000A。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述掩膜层上形成隔离层的步骤，包括：

利用磁控溅射工艺在所述掩膜层上设置隔离层，所述隔离层厚度为1000A-5000A。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在残留的所述隔离层和露出的所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域上，形成欧姆金属层的步骤，包括：

在残留的所述隔离层和露出的所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域上依次蒸镀镍、钛、铝，进而形成所述欧姆金属层；或者

在残留的所述隔离层和露出的所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域上依次蒸镀镍、铝，进而形成所述欧姆金属层；或者

在残留的所述隔离层和露出的所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域上依次蒸镀钛、铝，进而形成所述欧姆金属层；

其中，铝在所述欧姆金属层中原子比为50％～80％，所述欧姆金属层的厚度为1000A-3000A。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行高温回火处理，以使与所述p型掺杂区域接触的所述欧姆金属层的部分，形成欧姆金属接触层的步骤，包括：

执行900℃-1200℃高温回火处理60秒～300秒，以使与所述p型掺杂区域接触的所述欧姆金属层的部分，形成欧姆金属接触层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除残留的所述隔离层上的所述欧姆金属层的其它部分，和残留的所述隔离层以及掩膜层的步骤之后，还包括：

在所述欧姆金属接触层上形成电极；

在所述半导体外延结构以及所述电极上形成钝化层；

在所述电极对应的钝化层上形成第二开口，将部分所述电极裸露，其中，所述第二开口两侧的钝化层至少部分位于所述电极上。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层包括氮化钛、钨、碳化钽、氮化钽、硅化钽、碳化钨、氮化钨、硅化钨、碳化锆、氮化锆、硅化锆、碳化铌或氮化铌中至少一种。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过上述权利要求1～9任一项所述的方法制造。