[发明专利]晶圆反应装置及具有其的半导体制造设备

权利要求书

1.一种晶圆反应装置，其特征在于，包括：

反应器，包括盖体、基座、位于所述盖体和所述基座之间的反应腔、排气通道、排气口以及限流组件，所述基座包括面向所述反应腔的第一表面；所述排气通道连通所述反应腔和所述排气口，反应腔中的气体可通过所述排气通道及所述排气口排出所述反应器；所述限流组件设置于所述排气通道内；

其中，所述排气通道至少包括第一排气段及第二排气段，所述第一排气段以不平行于所述第一表面的第一方向延伸设置；所述第二排气段连通所述第一排气段和所述反应腔，并至少包括一个过渡段，所述过渡段的延伸方向从平行于所述第一表面过渡到平行所述第一方向；所述过渡段包括位于其上游端的进气截面和位于其下游端的排气截面；

所述限流组件仅设于所述排气截面的下游，并与所述排气截面间的距离不小于所述第二排气段的最小通道宽度，以将所述排气通道产生的涡流限制在所述过渡段下游。

2.根据权利要求1所述的晶圆反应装置，其特征在于，

定义所述排气截面处的通道宽度为L₃，所述限流组件与所述排气截面间的距离L₄，其中，L₃＜L₄≤2L₃。

3.根据权利要求1所述的晶圆反应装置，其特征在于，

所述过渡段的通道宽度在从所述进气截面向所述排气截面的延伸方向上逐渐递增。

4.根据权利要求1所述的晶圆反应装置，其特征在于，

所述限流组件设于所述排气通道的第一排气段内；

所述限流组件包括间隔设置的第一挡流板和第二挡流板，且所述第二挡流板设置于所述第一挡流板的下游侧；

其中，所述第一挡流板与所述排气截面间的距离不小于所述第二排气段的最小通道宽度。

5.根据权利要求4所述的晶圆反应装置，其特征在于，

所述第一挡流板开设有多个第一气孔和多个第二气孔，所述第二气孔的孔径小于所述第一气孔的孔径。

6.根据权利要求5所述的晶圆反应装置，其特征在于，

所述第一气孔设置于所述第一挡流板远离所述基座的一侧，所述第二气孔设置于所述第一挡流板靠近所述基座的一侧。

7.根据权利要求5所述的晶圆反应装置，其特征在于，

所述第二挡流板开设有多个第三气孔，所述第三气孔的孔径小于所述第一气孔的孔径，并大于所述第二气孔的孔径。

8.根据权利要求4所述的晶圆反应装置，其特征在于，还包括：

所述第二挡流板与所述排气口之间的距离不小于所述第二挡流板与第一挡流板之间的距离。

9.根据权利要求1至8任一项所述的晶圆反应装置，其特征在于，还包括：

进气口，其与所述反应腔流体连通，用于向所述反应腔中供应反应气体。

10.一种半导体制造设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的晶圆反应装置。