[发明专利]一种晶圆激光切割方法及晶圆有效
| 申请号： | 202310011046.2 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN115890021B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 唐义洲 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;H01L21/268;H01L21/78 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 吴桂芝 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 切割 方法 | ||
1.一种晶圆激光切割方法，其特征在于：其包括以下步骤：
对载片和/或晶圆进行热氧生长；
对载片进行划片开槽处理；
对载片、晶圆进行键合处理、退火处理，得到键合片；
对键合片进行背面金属沉积得到金属层，并进行激光退火；
对键合片进行背面开槽处理；
对键合片进行解键合处理；
对晶圆进行正面激光划片处理。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述背面开槽深度为晶圆厚度的1/10-1/5。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述激光划片的厚度为晶圆厚度的3/5-7/10。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述对载片进行划片开槽处理后还包括：
对晶圆进行修边处理以及退火处理。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述对晶圆进行修边处理以及退火处理包括：
对晶圆进行多次修边或多次阶梯修边处理，每次修边或阶梯修边处理后进行低温退火处理。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述对载片、晶圆进行键合处理、退火处理后还包括：
对键合片进行减薄处理。
7.根据权利要求6所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述对键合片进行减薄处理包括：
对键合片进行多次减薄处理，相邻两次减薄处理过程中磨轮旋转方向相反。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述对键合片进行多次减薄处理时还包括：
每次减薄处理后进行一次退火处理，最后一次退火处理前进行抛光处理。
9.根据权利要求1所述的一种晶圆激光切割方法，其特征在于：所述对键合片进行背面开槽处理前还包括：
对键合片背面进行开槽标记沉积。
10.一种晶圆，其特征在于：采用权利要求1-9任一项所述的一种晶圆激光切割方法进行制备得到。
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