[发明专利]一种减少硅转移的硅胶保护膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310011594.5 申请日: 2023-01-05
公开(公告)号: CN115895500A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 施克炜;张结勤;胡明亮 申请(专利权)人: 太湖金张科技股份有限公司
主分类号: C09J7/38 分类号: C09J7/38;C09J7/24;C09J183/10;C09J11/08
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 孙丽丽
地址: 246400 安徽省安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 转移 硅胶 保护膜 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种减少硅转移的硅胶保护膜,所述硅胶保护膜包括保护层、硅胶粘剂层和基材膜;所述硅胶粘剂层包括以下组分,按重量百分比组成:有机硅压敏胶75‑95%、交联剂0.01%‑1%、锚固剂0.01%‑0.5%、催化剂0.01%‑5%、抑制剂0.01%‑0.1%、溶剂20%‑60%。本发明所述硅胶保护膜通过降低硅胶层中锚固剂的用量,来降低硅转移的面积从而降低硅转移量,制备工艺简单,成本低,污染性降低,更加环保。

技术领域

本发明涉及有机硅膜材技术领域,尤其涉及一种减少硅转移的硅胶保护膜及其制备方法。

背景技术

硅胶保护膜是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜,现在主流的硅胶保护膜是PET硅胶屏幕保护膜,适用于各类屏幕保护,生产制备过程中电脑键盘等保护。虽然硅胶压敏胶保护膜可以适用于不同剥离力的离型层,且使用效果较好,但在后续转移工艺过程中容易在离型层界面存在残留物,且残留的含硅材料易造成硅污染,且影响胶层的粘性及使用寿命。硅胶保护膜胶层会产生硅转移,造成内聚破坏,基材损坏,传输残留等一系列问题,甚至容易造成硅污染。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题,本发明提出的一种减少硅转移的硅胶保护膜及其制备方法。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现:

一种减少硅转移的硅胶保护膜,所述硅胶保护膜包括保护层、硅胶粘剂层和基材膜;

所述基材膜的材料包括BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、PMMA、TPU、PI、PVB、PVC中的至少一种。

所述硅胶粘剂层包括以下组分,按重量百分比组成:

有机硅压敏胶75-95%、交联剂0.01%-1%、锚固剂0.01%-0.5%、催化剂0.01%-5%、抑制剂0.01%-0.1%、溶剂20%-60%。

优选地,所述有机硅压敏胶为有机硅聚合物为主的压敏胶,或为由有机硅聚合物改性的丙烯酸,或为有机硅改性橡胶型压敏胶或为上述中至少一种。

优选地,所述有机硅压敏胶的固含量为10%-60%;

优选地,所述有机硅压敏胶的粘度为2000-25000mpa.s;

优选地,所述交联剂为聚乙烯、聚氯乙烯、氯化聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、聚苯乙烯、丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚烷基丙烯酸酯、环氧树酯、聚苯二甲酸二烯丙酯(DAP)、不饱和聚酯、热塑聚酯、TAIC中的至少一种;

优选地,所述催化剂为固体酸催化剂、有机碱催化剂、金属催化剂、金属氧化物催化剂、络合物催化剂、稀土催化剂、分子筛催化剂、生物催化剂、纳米催化剂中的至少一种;

优选地,所述抑制剂为二乙烯基四甲基二硅氧烷、甲基乙炔醇、乙炔基环己醇、甲基丁炔醇、苯乙炔中的至少一种;

优选地,所述锚固剂为具有环氧基、酰氧基侧链的端氢基聚硅氧烷;

优选地,所述溶剂为甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、丁酮中的至少一种。

所述保护层为BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、PMMA、TPU、PI、PVB、PVC中的至少一种。

本发明还提出了一种减少硅转移的硅胶保护膜的制备方法,具体包括以下步骤:

S1、将有机硅压敏胶、交联剂和催化剂加入溶剂中,混合均匀后进行反应;

S2、待S1所述体系中加入抑制剂,进行阻聚;

S3、将锚固剂加入S2产物中,搅拌一段时间,精密涂布于基材上,高温固化形成缓冲层,在所述缓冲膜表面贴合离型膜保护层,即得;

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