[发明专利]一种金属电阻探测器及其加工方法

权利要求书

1.一种金属电阻探测器，其特征在于，包括硅片(1)；所述硅片(1)的垂直于厚度方向的一面上通过等离子体增强化学的气相沉积法蒸镀有一层氮化硅薄膜(2)；所述硅片(1)上通过聚焦离子束技术蚀刻有多个沿厚度方向贯穿所述硅片(1)的通孔(3)，所述通孔(3)的一端与所述氮化硅薄膜(2)连接；在每一个所述通孔(3)区域内的靠近所述硅片(1)一侧的所述氮化硅薄膜(2)上通过磁控溅射技术蒸镀有一层金属薄膜(4)；在每一个所述通孔(3)区域内的远离所述硅片(1)一侧的所述氮化硅薄膜(2)上通过光刻技术蚀刻有多条金属电阻丝(5)。

2.根据权利要求1所述的一种金属电阻探测器，其特征在于，所述氮化硅薄膜(2)的厚度为15μm；所述通孔(3)为4mm*1.5mm的矩形通孔；所述金属薄膜(4)的厚度为4μm，所述金属薄膜(4)的材质为金属金或金属铂。

3.根据权利要求1或2所述的一种金属电阻探测器，其特征在于，所述金属电阻丝(5)呈波浪形弯折；多条所述金属丝(5)通过相邻波峰或相邻波谷之间的间隙彼此嵌套在一起。

4.根据权利要求3所述的一种金属电阻探测器，其特征在于，多个所述通孔(3)对应的多条所述金属电阻丝(5)连接成电桥结构。

5.根据权利要求4所述的一种金属电阻探测器，其特征在于，在所述远离所述硅片(1)一侧的所述氮化硅薄膜(2)上通过磁控溅射技术蒸镀有多条导线(6)和多个电桥结构引脚(7)；所述导线(6)的一端与所述金属电阻丝(5)连接，所述导线(6)的另一端与所述电桥结构引脚(7)连接。

6.一种金属电阻探测器的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

选择硅片作为基板，采用等离子体增强化学的气相沉积法在所述硅片的垂直于厚度方向的一面上蒸镀一层氮化硅薄膜；

采用聚焦离子束技术在所述硅片上沿厚度方向蚀刻多个贯穿所述硅片的通孔，使所述通孔的一端与所述氮化硅薄膜连接；

采用磁控溅射技术在每一个所述通孔区域内的靠近所述硅片一侧的所述氮化硅薄膜上蒸镀一层金属薄膜；

采用光刻技术在每一个所述通孔区域内的远离所述硅片一侧的所述氮化硅薄膜上蚀刻多条金属电阻丝。

7.根据权利要求6所述的一种金属电阻探测器的加工方法，其特征在于，蚀刻多条所述金属电阻丝包括以下步骤：将每条所述金属电阻丝蚀刻为波浪形弯折的形状；将多条呈波浪形弯折的金属电阻丝通过相邻波峰或相邻波谷间的间隙彼此嵌套在一起；将多个所述通孔对应的多条所述金属电阻丝连接成电桥结构。

8.根据权利要求7所述的一种金属电阻探测器的加工方法，其特征在于，还包括以下步步骤：采用磁控溅射技术在远离所述硅片一侧的所述氮化硅薄膜上蒸镀多条导线和多个电桥结构引脚；将所述导线的一端与所述金属电阻丝连接，将所述导线的另一端与所述电桥结构引脚连接。