[发明专利]一种吸波复相陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种吸波复相陶瓷，其特征在于，包括具有多孔结构的基体，以及填充于所述基体孔隙中的SiC纳米线和碳簇；

所述基体为具有多孔结构的稀土硅盐酸陶瓷。

2.根据权利要求1所述的吸波复相陶瓷，其特征在于，所述吸波复相陶瓷中SiC纳米线和碳簇的质量分数之和为8.2～29.1wt％。

3.根据权利要求1或2所述的吸波复相陶瓷，其特征在于，所述稀土硅酸盐陶瓷为Yb₂Si₂O₇陶瓷。

4.权利要求1～3任一项所述吸波复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、将溶液A加入到溶液B并搅拌制得凝胶C，将凝胶C干燥后进行高温煅烧，得到硅酸盐陶瓷前驱体；其中，所述溶液A中包括稀土盐，所述溶液B中包括硅酸乙酯；

步骤2、将硅酸盐陶瓷前驱体与粘结剂均匀混合得到混合物D，将混合物D压制成型并烧结得到具有多孔结构的稀土硅酸盐陶瓷；

步骤3、将稀土硅酸盐陶瓷浸渍在溶液E中，浸渍后的稀土硅酸盐陶瓷在无氧的条件下依次进行固化和热裂解制得；其中，所述溶液E中包括聚碳硅烷和催化剂。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中稀土盐为Yb(NO₃)₃·6H₂O；

所述Yb(NO₃)₃·6H₂O与硅酸乙酯的摩尔比1:1～1:1.5。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中凝胶C干燥的条件为：先在70～90℃下干燥20～30h，然后继续在110～150℃下干燥11～13h；

所述步骤1高温煅烧条件为：在1100～1200℃下热处理2～4h。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中硅酸盐陶瓷前驱体与粘结剂的质量比为3:0.7～1.1；

所述步骤2中的粘结剂为聚乙烯醇；所述步骤2中烧结的条件为：空气中于1500～1600℃下烧结2～3h。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3中溶液E中催化剂的质量分数为1wt％，溶液E中聚碳硅烷质量分数为20～30wt％；

所述催化剂为Co(NO₃)₂。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的浸渍条件为：在真空中浸渍25～35min；

所述步骤3中固化处理的条件为：在100～150℃的温度下无氧处理2～3h；

所述步骤3中无氧热裂解条件为：在氩气氛围中，于温度为1100～1550℃下热裂解2～3h。

10.根据权利要求4～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括将所述步骤3重复至少5次。