[发明专利]一种三维结构的镁基美容线及其制备方法

权利要求书

1.一种三维结构的镁基美容线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将镁材依次经均匀化热处理、挤压、轧制和退火后，得到镁基材；

(2)在步骤(1)所述镁基材上按照插头式定位端设计进行激光切割，同时其他区域按照倒刺形状的设计进行激光切割，得到镁片材；

(3)在步骤(1)所述镁基材上按照插座式卡位端设计进行激光切割，然后在插座式卡位端之间采用激光切割出凹槽，得到卡位槽；

(4)将步骤(2)所述镁片材旋转后，固定到步骤(3)所述卡位槽中，然后按照倒刺形状设计进行激光切割，得到三维结构的镁基美容线。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述镁材包括镁锭和/或镁合金锭；

优选地，步骤(1)所述均匀化热处理的温度为250-400℃；

优选地，步骤(1)所述挤压的温度为100-400℃；

优选地，步骤(1)所述挤压比为(10-100):1，优选为(10-80):1；

优选地，单道次所述轧制的变形量≤30％；

优选地，步骤(1)所述轧制后镁基材的厚度为0.6-45mm；

优选地，步骤(1)所述退火的温度为100-330℃；

优选地，步骤(1)所述退火的时间为1-120min。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述插头式定位端为多齿结构；

优选地，所述多齿结构为至少1个H字形，优选为1-3个H字形；

优选地，所述H字形中竖边的宽度为2-4mm；

优选地，所述H字形中相邻竖边的间隔为1-3mm；

优选地，步骤(2)所述倒刺设置于镁基材的一面或两面。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述插座式卡位端与步骤(2)所述插头式定位端在镁基材中的相对位置重合；

优选地，步骤(3)所述插座式卡位端为多齿结构；

优选地，所述多齿结构为至少1个H字形，优选为1-3个H字形；

优选地，步骤(3)所述插座式卡位端的宽度为0.6-45mm，优选为插座式卡位端的宽度与步骤(1)所述镁基材的厚度相同；

优选地，步骤(3)所述凹槽的宽度小于步骤(1)所述镁基材的厚度，且大于镁基美容线的线径。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述镁基美容线的线径为0.3-0.6mm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述旋转的角度为85-95°，优选为90°；

优选地，步骤(4)所述三维结构的镁基美容线的一端设置有倒钩，镁基美容线上设置有双向倒刺段和无齿段。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述双向倒刺段的相邻倒刺分布方式包括360°螺旋、“飞机型”三面相邻、“花瓣形”四面相邻或90°相邻中的任意一种；

优选地，所述双向倒刺段中的倒刺与所述镁基美容线的夹角为10-30°，优选为20-25°。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述双向倒刺段包括前提拉齿段和后提拉齿段，所述前提拉齿段和后提拉齿段的倒刺形状大小、排列方式和排列间隔相同，方向相反；

优选地，所述前提拉齿段和后提拉齿段之间的间隔为3-8mm；

优选地，所述前提拉齿段和后提拉齿段的总长度为100-110mm；

优选地，所述前提拉齿段和后提拉齿段的长度比为(0.4-1):1。

9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)得到镁基美容线还包括后处理；

优选地，所述后处理包括依次进行的抛光、超声清洗、干燥、真空封装和灭菌。

10.一种三维结构的镁基美容线，其特征在于，所述镁基美容线利用权利要求1-9任一项所述的制备方法制得；

优选地，所述镁基美容线的提拉力＞5N。