[发明专利]用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

至少基于抗蚀剂结构的模拟空间图像来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；

基于所述模型化抗蚀剂轮廓、所述模拟空间图像以及与所述抗蚀剂结构相关联的一组抗蚀剂侧壁参数中的至少一个抗蚀剂侧壁参数来预测对应于由量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘的波形的一部分的测量值；以及

基于所述波形的一部分的所预测的测量值与对应于由所述量测装置成像的所述实际抗蚀剂结构的边缘的波形的一部分的实际测量值的对比来调整所述至少一个抗蚀剂侧壁参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述波形的一部分的所预测的测量值是由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度，该宽度是在预定阈值强度水平下测量的。

3.如权利要求1所述的方法，其中，由所述量测装置产生的波形的一部分的所预测的测量值是基于所述一组抗蚀剂侧壁参数中的至少两个抗蚀剂侧壁参数。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述一组抗蚀剂侧壁参数包括三个抗蚀剂侧壁参数，并且由量测装置产生的波形的一部分的所预测的测量值是基于所述一组抗蚀剂侧壁参数中的每一个抗蚀剂侧壁参数。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述一组抗蚀剂侧壁参数包括竖直强度范围参数、临界距离线宽参数以及所述空间图像参数的斜率。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述竖直强度范围参数被计算为第一空间图像的第一强度与第二空间图像的第二强度之间的差，所述第一空间图像对应于抗蚀剂层内的第一位置，并且所述第二空间图像对应于所述抗蚀剂层内的第二位置。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述第一位置在所述抗蚀剂层的顶部第三部分中，并且所述第二位置在所述抗蚀剂层的底部第三部分中。

8.如权利要求6至7中任一项所述的方法，其中，所述第一位置在所述抗蚀剂层的顶表面下方15纳米处，并且所述第二位置在所述抗蚀剂层的顶表面下方75纳米处。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

基于经调整的抗蚀剂侧壁参数来优化掩模布局的参数和光源的参数。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

基于另一抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓、另一抗蚀剂结构的模拟空间图像以及所述一组抗蚀剂侧壁参数中经调整的至少一个抗蚀剂侧壁参数来预测对应于由所述量测装置成像的另一实际抗蚀剂结构的边缘的另一波形的一部分的另一测量值；以及

基于另一波形的一部分的所预测的测量值来确定另一实际抗蚀剂结构的边缘的蚀刻品质。

11.一种包括机器可读指令的非暂时性计算机程序产品，所述机器可读指令用于使得处理器执行如权利要求1至10中任一项所述的方法。

12.一种系统，其包括

硬件处理器；以及

如权利要求11所述的非暂时性计算机程序产品。

13.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，将所预测的量测轮廓和所述实际量测轮廓参数化，并且将这些轮廓的参数化用于所述对比中。

14.一种用于校准抗蚀剂模型的装置，所述装置包括：

处理器，该处理器被配置为基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和所述抗蚀剂模型的参数来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；

基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，通过所述模型化抗蚀剂轮廓来预测所述抗蚀剂结构的量测轮廓；以及

基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整所述抗蚀剂模型的参数；

其中，将所预测的量测轮廓和所述实际量测轮廓参数化，并且将这些轮廓的参数化用于所述对比中。