[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、电池和终端

权利要求书

1.一种硅基负极材料，其特征在于，包括低硅氧比硅基基体，以及分散在所述低硅氧比硅基基体中的多个高硅氧比硅基颗粒，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶1，其中，11≤2，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶1，其中，0≤1≤1。

2.如权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述低硅氧比硅基基体为二氧化硅，或者所述低硅氧比硅基基体包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子，所述低硅氧比硅基基体分布在所述高硅氧比硅基颗粒周围。

3.如权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述高硅氧比硅基颗粒为硅颗粒，或者所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子。

4.如权利要求1-3任一项所述的硅基负极材料，其特征在于，所述低硅氧比硅基基体在所述高硅氧比硅基颗粒的表面原位生长得到。

5.如权利要求2或3所述的硅基负极材料，其特征在于，所述含硅晶体粒子为晶体硅和/或含锂硅酸盐。

6.如权利要求2或3所述的硅基负极材料，其特征在于，所述含硅晶体粒子的粒径为2nm-15nm。

7.如权利要求1-6任一项所述的硅基负极材料，其特征在于，所述高硅氧比硅基颗粒的粒径为20nm-1000nm。

8.如权利要求1-7任一项所述的硅基负极材料，其特征在于，所述高硅氧比硅基颗粒的表面设置有导电层和/或导离子层。

9.如权利要求8所述的硅基负极材料，其特征在于，所述高硅氧比硅基颗粒的表面同时包覆所述导电层和所述导离子层，其中，所述导电层在内侧，所述导离子层在外侧，或者所述导离子层在内侧，所述导电层在外侧。

10.如权利要求8所述的硅基负极材料，其特征在于，所述导电层的材料选自导电聚合物、碳质材料、金属、合金中的一种或多种。

11.如权利要求8所述的硅基负极材料，其特征在于，所述导离子层的材料选自LiPO₄、LiLaTiO₄、Li₇La₃Zr₂O₁₂、LiAlO₂、LiAlF₄、LiAlS、Li₂MgTiO₄、Li₆La₃Zr_1.5W_0.5O₁₂中的一种或多种。

12.如权利要求8所述的硅基负极材料，其特征在于，所述导电层的厚度为2nm-150nm，所述导离子层的厚度为2nm-150nm。

13.如权利要求1-12任一项所述的硅基负极材料，其特征在于，所述硅基负极材料还包括包覆在所述低硅氧比硅基基体表面的碳包覆层。

14.如权利要求1-13任一项所述的硅基负极材料，其特征在于，所述硅基负极材料的粒径为3μm-8μm。

15.一种硅基负极材料，其特征在于，包括高硅氧比硅基颗粒，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶1，其中，0≤1≤1，所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子。

16.如权利要求15所述的硅基负极材料，其特征在于，还包括低硅氧比硅基基体，多个所述高硅氧比硅基颗粒分散在所述低硅氧比硅基基体中，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶1，其中，11≤2。