[发明专利]发光装置及包括发光装置的电子设备和消费品在审
申请号: | 202310024722.X | 申请日: | 2023-01-09 |
公开(公告)号: | CN116419589A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 金会林;郑孝珠;金智慧;朴赛荣;柳东善;韩筵昊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K50/12 | 分类号: | H10K50/12;H10K50/11;H10K50/858;H10K85/30 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 包括 电子设备 消费品 | ||
1.发光装置,包括:
第一电极,
面对所述第一电极的第二电极,
在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层,以及
覆盖层,
其中所述发射层包含第一发射体,
所述第一发射体被配置为发射具有第一发射光谱的第一光,
所述覆盖层在所述第一光行进的路径上,
所述第一光的发射峰值波长是520nm至550nm,
所述第一发射体包含铱,
所述覆盖层包含不含胺的化合物,以及
通过所述覆盖层引出至外部的所述第一光的CIEy与折射率的比率值是38或小于38,以及
根据方程式1计算所述比率值:
方程式1
CIEy/R(cap)x 100
其中,在方程式1中,
CIEy是通过所述覆盖层引出至外部的所述第一光的CIE颜色坐标的y坐标值,以及
R(cap)是所述不含胺的化合物相对于具有所述第一光的所述发射峰值波长±20nm的波长的第二光的折射率。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中
所述第一光的发射峰值波长是525nm至545nm。
3.如权利要求1所述的发光装置,其中
所述第一光的半峰全宽是15nm至60nm。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中
所述第一光是绿色光。
5.如权利要求1所述的发光装置,其中
所述第一发射体包含第一配体、第二配体和第三配体,其中所述第一配体、所述第二配体和所述第三配体中的每一个键合至铱,
所述第一配体是包含含Y1的环B1和含Y2的环B2的二齿配体,
所述第二配体是包含含Y3的环B3和含Y4的环B4的二齿配体,
所述第三配体是包含含Y5的环B5和含Y6的环B6的二齿配体,
Y1、Y3和Y5中的每一个是氮,
Y2、Y4和Y6中的每一个是碳,以及
含Y2的环B2和含Y4的环B4彼此不同。
6.如权利要求1所述的发光装置,其中
所述覆盖层中包含的所述不含胺的化合物包括仅经由单键而不是原子彼此连接的三个或多于三个的C1-C60环状基团。
7.如权利要求1所述的发光装置,其中
通过所述覆盖层引出至所述外部的所述第一光的所述比率值是32.0至37.5。
8.如权利要求1所述的发光装置,其中
CIEy是0.705至0.740。
9.如权利要求1所述的发光装置,其中
R(cap)是所述不含胺的化合物相对于具有530nm的波长的第二光的折射率。
10.如权利要求1所述的发光装置,其中
R(cap)是1.85至2.5。
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