[发明专利]一种高导电银铜铟合金键合丝及其制备方法

权利要求书

1.一种高导电银铜铟合金键合丝的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

按重量百分比计，将1％以下的第一金属辅料和99％以上的银混合后进行真空熔炼得到第一熔融体，其中，所述第一金属辅料中至少包含的金属元素为Cu；

在保护气氛下向所述第一熔融体中加入1％以下的第二金属辅料进行精炼得到第二熔融体，其中，所述第二金属辅料中至少包含的金属元素为In；

将所述第二熔融体拉铸成圆棒，再将拉铸成型的圆棒依次进行大拉、中拉、细拉及微细拉工序，得到银铜铟合金键合丝；

按重量百分比计，所述第一金属辅料和第二金属辅料中包含的所有金属元素在所述银铜铟合金键合丝中的总含量≤1wt％。

2.根据权利要求1所述的高导电银铜铟合金键合丝的制备方法，其特征在于，所述第一金属辅料中还包括金属元素Pd和Pt中的至少一种，所述第二金属辅料中还包括金属元素Y。

3.根据权利要求2所述的高导电银铜铟合金键合丝的制备方法，其特征在于，所述第一金属辅料为单质铜、以及单质钯和单质铂中的至少一种，所述第二金属辅料为单质铟和单质钇。

4.根据权利要求2所述的高导电银铜铟合金键合丝的制备方法，其特征在于，所述第一金属辅料为Ag-Cu中间合金、以及Ag-Pd中间合金和Ag-Pt中间合金中的至少一种，所述Ag-Cu中间合金为Ag-1～10wt％Cu合金，所述Ag-Pd中间合金为Ag-0.5～1.5wt％Pd合金，所述Ag-Pt中间合金为Ag-0.5～1.5wt％Pt合金；

所述第二金属辅料为Ag-In中间合金和Ag-Y中间合金，所述Ag-In中间合金为Ag-0.5～5wt％In合金，所述Ag-Y中间合金为Ag-0.5～1.5wt％Y合金。

5.根据权利要求1或2所述的高导电银铜铟合金键合丝的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在熔炼前对原料进行预热的步骤，所述预热的温度为150～250℃，预热的时间为10～50min。

6.根据权利要求1或2所述的高导电银铜铟合金键合丝的制备方法，其特征在于，所述真空熔炼的温度为1100～1350℃、时间为10～30min、真空度为1.1～2×10^-2Pa；

所述精炼的温度为1150～1250℃、时间为5～10min；

所述精炼还包括采用电磁搅拌方式对第二熔融体进行搅拌。

7.根据权利要求6所述的高导电银铜铟合金键合丝的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在精炼完成后，将第二熔融体的温度降低至1100～1200℃静置5～10min的步骤。

8.一种高导电银铜铟合金键合丝，其特征在于，所述高导电银铜铟合金键合丝通过如权利要求1～7中任意一项所述的高导电银铜铟合金键合丝的制备方法制备得到，按质量百分比计包括以下化学组成成分：1％以下的金属元素、99％以上银、以及不可避免的杂质，其中，所述金属元素至少包括Cu和In。

9.根据权利要求8所述的高导电银铜铟合金键合丝，其特征在于，所述金属元素还包括Pd、Pt和Y中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的高导电银铜铟合金键合丝，其特征在于，按质量百分比计，所述高导电银铜铟合金键合丝包括：

0.1～0.8wt％Cu、0.001～0.005wt％Pd、0.001～0.005wt％Pt、0.02～0.3wt％In、0.0001～0.002wt％Y和99.9～99.9999％银、以及不可避免的杂质；且所述高导电银铜铟合金键合丝的直径为15～30μm。