[发明专利]一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法

权利要求书

1.一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构，所述的探测器为背照射结构，其特征在于：在光敏元上设计n行×m列正方形光敏元扩散孔D₁₁～D_nm，其中，n为行数、m为列数，1n≤3，m≥512，在光敏区外围设计一个环状的保护环扩散孔(1)；在每个光敏元扩散孔上设置一个P电极孔(2)，在位于保护环的上下两侧各设计一行保护环P电极孔(3)，与光敏元的P电极孔(2)一一对应，在保护环的上侧、下侧各设置一个N电极槽(4)；每个光敏元P电极孔(2)上沉积一个P电极(5)，探测器设置两个延伸电极(6)，分别覆盖上侧和下侧的保护环P电极孔(3)与N电极槽(4)，将保护环P区与探测器N区合并引出。

2.一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构的实现方法，其特征在于方法如下：在N-InP/I-InGaAs/N-InP结构的外延材料上，通过光刻、刻蚀获得n行、m列光敏元扩散孔D₁₁～D_nm、保护环扩散孔(1)，通过Zn₃P₂掺杂源进行闭管扩散形成光敏元P区、保护环P区，在芯片表面沉积SiNx钝化层，分别通过光刻、刻蚀获得光敏元P电极孔(2)、保护环P电极孔(3)、N电极槽(4)，通过光刻、蒸发单层Au，获得光敏元P电极(5)、延伸电极(6)，通过延伸电极将保护环P区与器件N区合并引出。