[发明专利]一种线扫光学检测结构及同轴线扫光源的主光轴校准方法

权利要求书

1.一种线扫光学检测结构，其特征在于，包括线阵相机，光学镜头，同轴线扫光源和电动直线位移台，所述线阵相机、光学镜头和阶梯状样品调节至同轴且阶梯状样品处于光学镜头的前焦面上；所述同轴线扫光源固定于所述电动直线位移台上，并且移动所述电动直线位移台改变所述同轴线扫光源位置进行成像；量化成像所得图片的伪影宽度，并进一步得到光源发散角的正弦值；找到正弦值最小的地方，即为光源发散角最小的位置，该处就是同轴线扫光源的主轴。

2.一种同轴线扫光源的主光轴校准方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)使用呈阶梯状分布的高反射率样品，该样品中心处为最高阶梯，高度依次沿两边下降，单个阶梯宽度在0.4mm，阶梯之间的高度差为2mm；

(2)将线阵相机、光学镜头和阶梯状样品调节至同轴，使线阵相机芯片的中心正对于阶梯状样品中间最高阶梯的中心；

(3)调节线阵相机、光学镜头的高度，使镜头到阶梯状样品中心的距离等于镜头的焦距；

(4)采用环形光照明，验证样品是否处于镜头的焦点位置，成像清晰则进行下一步；

(5)将同轴线扫光源固定到单步行进值为3um的电动直线位移台上，并将同轴线扫光源调节至合适高度，且靠近相机、镜头和样品所处的轴的位置；

(6)打开同轴线扫光源对阶梯状样品进行照明并扫描成像；

(7)观察成像效果，将产生的伪影宽度记录下来，进一步计算得出光源的发散角度；

(8)根据二分法移动电动直线位移台，调节同轴线扫光源位置，重复步骤(6)、(7)，进而确定发散角度最小的位置，即产生伪影最小或不产生伪影的位置，则该位置即为同轴线扫光源的主光轴；

(9)标定此时同轴线扫光源的位置，标定同轴线扫光源与镜头之间的相对位置。