[发明专利]惯性传感器、惯性传感器的制造方法以及惯性测量装置

说明书

本申请提供惯性传感器、惯性传感器的制造方法以及惯性测量装置，其腔体内的传感器不易受到污染。惯性传感器(1)包括基体(2)、与基体(2)相对的盖体(3)、配置于基体(2)与盖体(3)之间的腔体(S)并包括半导体层(23)的功能元件(4)、配置于包围腔体(S)的周边区域(P)并将基体(2)与盖体(3)粘接的粘接层(6)、将连通腔体(S)与外部并配置于周边区域(P)的孔(7)密封的密封部(8)，密封部(8)设置为与盖体(3)和基体(2)相接，并包含盖体(3)的材料和粘接层(6)的材料。

技术领域

本发明涉及惯性传感器、该惯性传感器的制造方法以及具备该惯性传感器的惯性测量装置。

背景技术

作为MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微电子机械系统)的封装的密封方法，存在专利文献1中所记载的方法。在专利文献1中公开了：具备MEMS晶片和盖晶片，通过将盖晶片粘接于MEMS晶片而形成内置传感器的腔体，之后，通过照射激光，在盖晶片上打开通向腔体的孔，在调整了腔体内的气压之后，对盖晶片的孔照射激光，使孔的周围的盖晶片熔融，从而将孔关闭。

专利文献1:美国专利申请公开第2018/0339900号说明书

由于通向腔体的孔配置于传感器上，因此由于照射激光而从盖晶片产生的飞沫(溅沫)有可能污染腔体内的传感器。另外，有可能因该污染导致可靠性降低或成品率降低。

发明内容

本申请的一方面涉及的惯性传感器具备：基体；盖体，在所述盖体与所述基体之间形成空间；静电电容元件，配置于所述空间，并包括半导体层；粘接层，设置于包围所述空间的周边区域，并将所述基体与所述盖体粘接；以及密封部，设置于所述周边区域，将所述空间与外部之间的孔密封，所述密封部设置为与所述盖体和所述基体相接，并包含所述盖体的材料和所述粘接层的材料。

本申请的一方面涉及的惯性测量装置具备上述的惯性传感器和控制所述惯性传感器的驱动的控制电路。

本申请的一方面涉及的惯性传感器的制造方法是具备基体、盖体以及静电电容元件的惯性传感器的制造方法，在所述盖体与所述基体之间形成有空间，所述静电电容元件包括配置于所述空间的半导体层，所述惯性传感器的制造方法具有以下工序：在所述盖体的第一面形成将所述空间与外部之间连通的槽；经由粘接层将所述盖体的所述第一面与所述基体粘接，形成将所述空间与所述外部之间连通并由所述槽和所述基体形成的孔；以及从所述盖体的所述第一面的相反侧的第二面朝向所述孔照射激光，通过熔融的所述盖体的材料形成密封所述孔的密封部。

本申请的一方面涉及的惯性传感器的制造方法是具备基体、盖体以及静电电容元件的惯性传感器的制造方法，在所述盖体与所述基体之间形成有空间，所述静电电容元件包括配置于所述空间的半导体层，所述惯性传感器的制造方法具有以下工序：在所述基体的第三面形成将所述空间与外部之间连通的槽；经由粘接层将所述盖体与所述基体的第三面粘接，形成将所述空间与所述外部之间连通并由所述槽和所述盖体形成的孔；以及从所述盖体一侧朝向所述孔照射激光，通过熔融的所述盖体的材料形成密封所述孔的密封部。

附图说明

图1是实施方式一涉及的惯性传感器的立体图。

图2是图1的A-A线剖视图。

图3是图1的B-B线剖视图。

图4是功能元件的俯视图。

图5是说明惯性传感器的制造方法的流程图。

图6A是说明制造工序的图。

图6B是图6A的D-D线剖视图。

图7A是说明制造工序的图。

图7B是说明制造工序的图。

图8A是说明实施方式二的制造工序的图。