[发明专利]一种双极化高功率收发多功能芯片

权利要求书

1.一种双极化高功率收发多功能芯片，其特征在于，包括发射功率放大器、接收低噪声放大器和双刀双掷开关；

所述发射功率放大器的输入端作为双极化高功率收发多功能芯片的发射输入端，其输出端和双刀双掷开关的输入端连接；

所述接收低噪声放大器的输出端作为双极化高功率收发多功能芯片的接收输出端，其输入端和双刀双掷开关的输出端连接；

所述双刀双掷开关设置有双极化高功率收发多功能芯片的第一接收输入/发射输出端和第二接收输入/发射输出端。

2.根据权利要求1所述的双极化高功率收发多功能芯片，其特征在于，所述发射功率放大器包括电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电阻R₄、电阻R₅、电阻R₆、电阻R₇、电阻R_f1、电容C₁、接地电容C₂、电容C₃、电容C₄、接地电容C₅、接地电容C₆、接地电容C₇、接地电容C₈、电容C₉、接地电容C₁₀、接地电容C₁₁、接地电容C₁₂、接地电容C₁₃、接地电容C₁₄、接地电容C₁₅、接地电容C₁₆、接地电容C₁₇、接地电容C₁₈、接地电容C₁₉、电容C_f1、电容C_f2、电感L₁、电感L₂、电感L₃、电感L₄、电感L_f1、电感L_f2、微带线TL₁、微带线TL₂、微带线TL₃、微带线TL₄、微带线TL₅、微带线TL₆、微带线TL₇、微带线TL₈、微带线TL₉、微带线TL₁₀、微带线TL₁₁、放大管FET₁、放大管FET₂和放大管FET₃；

所述电容C₁的一端作为发射功率放大器的输入端，其另一端分别与微带线TL₁的一端和接地电容C₂连接；所述微带线TL₁另的一端分别与电感L₁的一端、电阻R₁的一端和电容C₃的一端连接；所述电感L₁的另一端分别与电阻R₂的一端和接地电容C₁₀连接；所述电阻R₂的另一端分别与接地电容C₁₁和第一级栅电压VG_T1连接；所述放大管FET₁栅极分别与电阻R₁的另一端和电容C₃的另一端连接，其源极接地，其漏极分别与电感L₂的一端和电容C₄的一端连接；所述电感L₂的另一端分别与接地电容C₁₂、电阻R₃的一端和第一级漏电压连接VD_T1；所述电阻R₃的另一端和接地电容C₁₃连接；所述电容C₄的另一端分别与电阻R_f1的一端、微带线TL₂的一端和微带线TL₇的一端连接；所述微带线TL₇的另一端分别与微带线TL₈的一端和接地电容C₇连接；所述放大管FET₃的栅极分别与微带线TL₈的另一端和电阻R₅的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL₉的一端连接；所述电阻R₅的另一端和电感L₄的一端连接；所述电感L₄的另一端和接地电容C₁₇连接；所述微带线TL₉的另一端分别与接地电容C₈、微带线TL₁₀的一端和微带线TL₁₁的一端连接；所述微带线TL₁₀的另一端分别与接地电容C₁₈和电阻R₇的一端连接；所述电阻R₇的另一端和接地电容C₁₉连接；所述微带线TL₂的另一端分别与微带线TL₃的一端和接地电容C₅连接；所述放大管FET₂的栅极分别与微带线TL₃的另一端和电阻R₄的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL₄的一端连接；所述电阻R₄的另一端和电感L₃的一端连接；所述电感L₃的另一端分别与接地电容C₁₄和第二级栅电压VG_T2连接；所述微带线TL₄的另一端分别与接地电容C₆、微带线TL₅的一端和微带线TL₆的一端连接；所述微带线TL₅的另一端分别与接地电容C₁₅、电阻R₆的一端和第二级漏电压连接VD_T2连接；所述电阻R₆的另一端和接地电容C₁₆连接；所述电阻R_f1的另一端和电容C_f2的一端连接；所述电容C_f2的另一端分别与电感L_f1的一端和电感L_f2的一端连接；所述电感L_f1的另一端和电容C_f1的一端连接；所述电容C_f1的另一端分别与微带线TL₆的另一端、电容C₉的一端、电感L_f2的另一端和微带线TL₁₁的另一端连接；所述电容C₉的另一端作为发射功率放大器的输出端。