[发明专利]偏置电路

权利要求书

1.一种偏置电路，应用于射频放大器，其特征在于，包括相互电性连接的温度反馈单元与信号耦合单元，所述信号耦合单元还与所述射频放大器电性连接用以调节所述射频放大器的线性度，所述温度反馈单元邻近于所述射频放大器用以感应所述射频放大器的温度变化，并根据温度变化情况实时对射频放大器进行温度补偿；所述信号耦合单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第一电阻，所述第一晶体管的发射极与第二晶体管的集电极连接并与所述射频放大器连接，所述第一晶体管的集电极与一外部第一电源连接，其基极与第三晶体管的发射极连接，所述第二晶体管的发射极与外部第二电源连接，所述第二晶体管的基极与第四晶体管的基极连接，所述第三晶体管的基极与温度反馈单元连接，所述第三晶体管的集电极与第四晶体管的集电极连接，所述第四晶体管的发射极与外部第二电源连接，且所述第四晶体管的基极与其集电极共同连接，所述第一电阻一端与一外部第一电源连接，其另一端与所述第一晶体管的基极连接。

2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述信号耦合单元还包括一电容，所述电容一端与第三晶体管的基极连接，其另一端接地。

3.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述第三晶体管为PNP型的晶体管。

4.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述温度反馈单元包括第五晶体管与第六晶体管，所述第五晶体管的栅极与第三晶体管的栅极连接，第五晶体管的栅极、集电极均与外部第三电源连接，所述第五晶体管的发射极与第六晶体管的集电极、栅极连接，所述第六晶体管的发射极接地。

5.如权利要求4所述的偏置电路，其特征在于，所述温度反馈单元还包括第二电阻，所述第二电阻一端与外部第三电源连接，所述第二电阻的另一端与所述第五晶体管的集电极、栅极共同连接。