[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，包括：

在硅片上形成浅沟槽结构，所述浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；

采用SiCoNi刻蚀工艺，将所述自然氧化物层去除，并在去除所述自然氧化物层的硅片表面形成保护层，所述保护层的材料包括：六氟硅酸氨；

将所述保护层去除，并在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

采用SiCoNi刻蚀工艺，将所述自然氧化物层去除，并在去除所述自然氧化物层的硅片表面形成保护层，包括：

将形成有所述自然氧化物层的硅片放置于第一反应腔中；

向所述第一反应腔内通入NH₃、NF₃和等离子体气源；

使所述NH₃和NF₃在等离子体的激发下，与所述自然氧化物层发生反应，将所述自然氧化物层转换成所述保护层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述NH₃的流量为70~100sccm，所述NF₃的流量为14~30sccm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

将所述保护层去除和在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层发生在同一反应腔内。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将所述保护层去除，包括：

将形成有所述保护层的硅片放置于第二反应腔中；

对所述第二反应腔抽真空，至所述第二反应腔内的真空度为6.8~7.2Torr；

对所述第二反应腔进行加热，使所述保护层从所述硅片表面升华去除。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述加热的温度为180~190℃，所述加热的时间为15~30s。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层，包括：

在将所述保护层去除之后，直接在所述第二反应腔内，通过热氧化法在去除所述保护层的硅片表面形成所述线性氧化物层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述热氧化法的温度为900~1100℃，通入的氧元素气源的流量为20~30SLM。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

直接在所述第二反应腔内，通过热氧化法在去除所述保护层的硅片表面形成所述线性氧化物层，包括：

将第二反应腔从所述加热的温度升温至热氧化反应的温度；

向所述第二反应腔内通入氧元素气源，使氧元素气源和去除所述保护层的硅片表面发生热氧化反应，生成所述线性氧化物层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述升温的速度为75~125℃/s，时间为10~12s。

11.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，通过如权利要求1~10任一项所述方法制备获得。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构。

13.一种芯片，其特征在于，包括：

如权利要求12所述的半导体结构。