[发明专利]芯片测试方法与芯片测试结构

权利要求书

1.一种芯片测试方法，其特征在于：

制作测试芯片，所述测试芯片包括衬底、设置在所述衬底上的测试线路与连接所述测试线路的测试引脚；

在待测芯片表面制作焊盘；

采用连接导线将所述焊盘与相应的所述测试引脚键合连接。

2.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于：所述测试芯片的制作过程包括在所述衬底的同一侧依次制备相互绝缘的至少两个金属线路层，每一所述金属线路层均连接有相应的所述测试引脚。

3.根据权利要求2所述的芯片测试方法，其特征在于：所述衬底采用硅基底，所述测试芯片的制作过程包括在所述硅基底的一侧表面制备第一介质层，再于所述第一介质层背离所述硅基底的一侧表面上制备第一金属线路层；

在所述第一金属线路层上制备第二介质层；

在所述第二介质层背离所述硅基底的一侧表面上制备第二金属线路层。

4.根据权利要求3所述的芯片测试方法，其特征在于：所述第一金属线路层的制备过程包括在所述第一介质层表面制备第一种子层，所述第一种子层具有相互层叠的至少两个金属膜层；

制备第一光阻层，所述第一光阻层具有第一镂空图案；

电镀形成第一电镀层；

制备第二光阻层，所述第二光阻层具有第二镂空图案，所述第二镂空图案与所述第一金属线路层所连接的测试引脚的位置相对应；

电镀形成第二电镀层；

刻蚀去除所述第二光阻层以及部分未被所述第一电镀层覆盖的所述第一种子层。

5.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于：所述第一介质层采用氮化硅层、氧化硅层或者聚酰亚胺层；

当所述第一介质层采用氮化硅层和/或氧化硅层时，所述第一介质层通过化学气相沉积工艺制得；当第一介质层采用聚酰亚胺层时，所述第一介质层通过涂布工艺制得。

6.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于：所述第一电镀层包括铜层，且所述第一电镀层的厚度设置为3-30μm；

所述第一光阻层的厚度设置超过所述第一电镀层5-10μm。

7.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于：所述第二电镀层包括镍层与金层，所述第二电镀层的整体厚度设置为2.5-5μm；

所述第二光阻层的厚度设置超过所述第二电镀层5-10μm。

8.根据权利要求3所述的芯片测试方法，其特征在于：所述第二金属线路层的制备过程包括对所述第二介质层进行曝光、显影，使得所述第一金属线路层所连接的测试引脚向外暴露；

在所述第二介质层的表面制备第二种子层；

制备第三光阻层，所述第三光阻层具有第三镂空图案，所述第三镂空图案与所述第二金属线路层的位置相对应；

电镀形成第三电镀层；

刻蚀去除所述第三光阻层以及部分未被所述第三电镀层覆盖的所述第二种子层。

9.根据权利要求8所述的芯片测试方法，其特征在于：所述第三电镀层包括依次层叠制得的铜层、镍层、金层，所述第三光阻层的厚度设置超过所述第三电镀层5-10μm；

所述测试芯片的制作过程还包括在所述第二金属线路层上制备保护层，所述保护层具有开口，所述开口用以暴露出所述第一金属线路层的测试引脚及所述第二金属线路层的测试引脚。

10.一种芯片测试结构，其特征在于：所述芯片测试结构采用权利要求1至9任一项所述的芯片测试方法对待测芯片进行测试。