[发明专利]集成电路工艺方法以及集成电路产品

权利要求书

1.一种集成电路工艺方法，其特征在于，包括：

在晶圆上形成第一光阻层；

对所述第一光阻层进行第一刻蚀工艺以形成第一图案化光阻层，所述第一图案化光阻层在对应到所述晶圆上的连接点的位置具有多个凹槽；

在所述多个凹槽中形成第一连接件；

在所述第一图案化光阻层上形成第二光阻层以覆盖所述第一连接件；

对所述第二光阻层进行第二刻蚀工艺以形成第二图案化光阻层，所述第二图案化光阻层暴露多个所述第一连接件的至少其中之一；以及

在暴露的所述第一连接件上形成金属以形成第二连接件。

2.根据权利要求1所述的集成电路工艺方法，其特征在于，对所述第二光阻层进行所述第二刻蚀工艺以形成所述第二图案化光阻层包括：

刻蚀第一区域内的所述第二光阻层以暴露所述第一区域下方的所述第一连接件以及所述第一光阻层。

3. 根据权利要求2所述的集成电路工艺方法，其特征在于，刻蚀所述第一区域内的所述第二光阻层包括：

在所述第一区域上方设置掩模板；以及

对所述第二光阻层进行曝光和显影以刻蚀所述第一区域内的所述第二光阻层。

4.根据权利要求1所述的集成电路工艺方法，其特征在于，在暴露的所述第一连接件上形成金属以形成所述第二连接件包括：

在所述第一图案化光阻层和所述第一连接件合围的凹槽中形成金属以形成所述第二连接件。

5.根据权利要求2所述的集成电路工艺方法，其特征在于，对所述第二光阻层进行所述第二刻蚀工艺以形成所述第二图案化光阻层还包括：

保留第二区域内的所述第二光阻层，其中所述第二区域下方包括多个所述第一连接件。

6.根据权利要求5所述的集成电路工艺方法，其特征在于，还包括：

去除所述第二图案化光阻层以及所述第一图案化光阻层以暴露所述第一区域下方的所述第二连接件和所述第二区域下方的所述第一连接件。

7.根据权利要求1所述的集成电路工艺方法，其特征在于，在所述多个凹槽中形成所述第一连接件包括：

以电镀方式在所述多个凹槽中形成所述第一连接件。

8.根据权利要求1所述的集成电路工艺方法，其特征在于，在暴露的所述第一连接件上形成金属以形成所述第二连接件包括：

以电镀方式在暴露的所述第一连接件上形成金属。

9.根据权利要求1所述的集成电路工艺方法，其特征在于，所述晶圆包括数个电路单元，所述电路单元上包括第一区域及第二区域，所述第二区域包围所述第一区域，所述第一区域是矩形区域，所述第一区域包括经配置以形成所述第二连接件的多个第一位置，所述第二区域包括经配置以形成所述第一连接件的多个第二位置，所述第一位置到所述第一区域的边界的最近垂直距离大于等于4微米并小于等于所述第一位置与所述第二区域中距离所述第一位置最近的所述第二位置的垂直间距减去3微米。

10.根据权利要求1所述的集成电路工艺方法，其特征在于，所述晶圆包括数个电路单元，所述电路单元上包括第一区域及第二区域，所述第二区域包围所述第一区域，所述第一区域是矩形区域，所述第二区域中不包括用以形成连接件的位置，所述第一区域中包括经配置以形成所述第二连接件的第一位置，所述第一位置到所述第一区域的边界的最近垂直距离大于等于4微米并小于等于所述第一位置到所述电路单元的边界的最近垂直距离减去15微米。